[实用新型]低EMI常通型SiCJFET的驱动电路

说明书

本实用新型提供一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，包括驱动电流调节电路、驱动电压钳位模块、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；驱动电流调节电路110接开关信号In，驱动电流调节电路110的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块140接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；本实用新型实现一种低损耗、低EMI的常通型SiC JFET驱动电路。

技术领域

本实用新型属于集成电路领域，尤其是一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路。

背景技术

由于SiCMOS管具有热导率高、通态电阻低、开关速度快等性能优势，非常适用于高温、高效、高频场合。SiC功率器件有常通型和常断型两种类型。相比常通型SiC JFET，常断型SiC JFET功率器件的通态电阻较大。因此常通型SiC JFET有着非常广泛的应用。

常通型SiC JFET通常与低压MOS级联，构成Cascode结构，由低压MOS的开关来控制常通型SiC JFET的导通与关断。这种Cascode的源极驱动方式速度较快，可以满足高频场合，但是这种Cascode结构对低压MOS的驱动方式有较高要求，驱动速度过快EMI差，驱动速度过慢损耗增加。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足，提出一种能够实现低损耗、低EMI的常通型SiC JFET驱动电路。本实用新型采用的技术方案是：

一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，包括驱动电流调节电路、驱动电压钳位模块、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；

驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；

驱动电流调节电路110接开关信号In，驱动电流调节电路110的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块140接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；

驱动电压vDrv通过驱动电流调节电路、驱动电压钳位模块、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1产生；

驱动电流调节电路实时检测驱动电压vDrv，并根据驱动电压vDrv的高低，实时调节驱动电流iDrv的大小。

进一步地，Q2和Q3为NMOS管。

进一步地，驱动电流调节电路，包括PMOS型偏置电流源PB1、PB2、PB3，NMOS型电流镜Ncm1、Ncm2、Ncm3、Ncm4，PMOS型电流镜Pcm1、Pcm2，NMOS型开关Nsw1、Nsw2、Nsw3、Nsw4，电阻R1、R2、R3、R4，上拉电阻Rup，反相器INV3，NMOS型电流调节开关N1、N2以及电平转换电路；

偏置电流源PB1、PB2、PB3的栅极相接，并接偏置电压VBIAS1，PB1、PB2、PB3的源极相接；偏置电流源PB1的漏极接电流镜Ncm1的漏极和栅极、Ncm2的栅极、Ncm3的栅极和Ncm4的栅极；电流镜Ncm1、Ncm2、Ncm3、Ncm4的源极接地；电流镜Ncm2的漏极接电流调节开关N2的源极、开关Nsw1的漏极；电流镜Ncm3的漏极接开关Nsw1的源极和Nsw2的漏极；电流镜Ncm4的漏极接开关Nsw2的源极；

偏置电流源PB2的漏极接反相器INV3的输入端和开关Nsw3的漏极；开关Nsw3的源极接地；反相器INV3的输出端接开关Nsw2的栅极；