[实用新型]半导体器件及电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底，顶部形成有掺杂区，所述掺杂区的上表面开设有两个相间隔的凹槽，且所述凹槽贯穿所述掺杂区和部分所述衬底；

两个字线，分别设于两个所述凹槽的槽底；

隔离层，设于所述掺杂区的上表面并填充两个所述凹槽；

孔槽，贯穿于所述隔离层的位于两个所述凹槽之间的部分及所述掺杂区的位于两个所述凹槽之间的部分的上部，且所述孔槽的槽壁由所述隔离层的填充于两个所述凹槽内的部分界定；

位线接触层，设于所述孔槽内；以及

位线导电层，设于所述位线接触层上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，定义所述掺杂区的位于两个所述凹槽之间的下部剩余部分为掺杂区的中间部；其中，所述掺杂区的中间部的顶部截面呈弧形，而使所述孔槽的截面呈U形。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区的中间部的顶部截面呈圆弧形。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述孔槽的槽壁扩张至所述隔离层的位于所述凹槽内的部分，而使所述孔槽的两侧槽壁之间的宽度大于所述掺杂区的位于两个所述凹槽之间的部分的剩余部分的宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，定义所述掺杂区的位于两个所述凹槽之间的下部剩余部分为掺杂区的中间部；其中，所述孔槽的槽壁扩张至所述隔离层的位于所述凹槽内的部分，且该部分包括所述隔离层的邻接于所述掺杂区的中间部的部分，而使所述孔槽的槽底截面呈“ㄇ”字形。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区的中间部的底部周缘残留有所述隔离层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述位线接触层的上表面低于所述隔离层的上表面，且所述位线接触层的上表面高于或等于所述掺杂区的上表面。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述位线导电层的上表面高于所述隔离层的上表面。

9.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1～8任一项所述的半导体器件。