[实用新型]一种深紫外LED器件

说明书

本实用新型公开了一种深紫外LED器件，深紫外LED器件包括：具有正负电极的基板，基板上设置有围坝；深紫外LED芯片，深紫外LED芯片固定于基板上并与基板上的正负电极连接；透镜，透镜周缘设置有与围坝适配的边框；透镜通过所述边框扣合于基板的围坝内，并构成容纳深紫外LED芯片的内腔。采用搅拌摩擦焊成型的焊缝把带边框的透镜和设有围坝的基板连接起来，实现了气密性封装，并且没有使用到有机硅胶等有机材料，实现了全无机封装。焊接过程只是局部高温，并不会因为温度过高而影响固晶质量和损害芯片，并且解决了深紫外LED照射下有机材料光解变性的问题，使得制造的深紫外LED适合在各种环境下使用，提高LED的稳定性和可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体发光器件封装技术，特别涉及一种深紫外LED器件。

背景技术

UV LED即紫外发光二极管，是指一种发光中心波长小于400nm的发光二极管，由于它具有无汞污染、寿命长、无需预热、瞬间启动、寿命不受开关次数影响等优点，被广泛应用在防伪技术、油墨固化、曝光机、医学光疗、杀菌消毒等上面。

近紫外LED(波长为300-400nm)主要是将近紫外LED芯片封装起来所得，一般有两种方法可以实现，一种是可以直接运用白光的封装方式，即将近紫外LED芯片通过有机硅胶水把芯片直接密封起来或用有机胶水将基板和透镜粘连起来所得。然而，有机胶水等含有羧基(-COOH)等基团在300nm以下的深紫外光照射下极易发生光解，使胶水变性分解，从而影响出光或损坏芯片。因此，有机硅胶水封装并不适用于深紫外LED封装。另一种方法是采用钎焊等焊接技术，需要将焊件和焊料整体都加热到一定的温度(焊料的熔点)，这将同时使得焊件的其他部位的温度也到达高温，容易影响固晶质量，更严重者，深紫外LED芯片会因为高温而烧坏，因此需要一种新的封装技术来支持深紫外LED的封装。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种深紫外LED器件，可避免胶水光解和高温影响。

根据本实用新型第一方面实施例的一种深紫外LED器件，包括：

具有正负电极的基板，所述基板上设置有围坝；

深紫外LED芯片，所述深紫外LED芯片固定于所述基板上并与所述基板上的正负电极连接；

透镜，所述透镜周缘设置有与所述围坝适配的边框；所述透镜通过所述边框扣合于所述基板的围坝内，并构成容纳所述深紫外LED芯片的内腔；

由搅拌摩擦焊成型的焊缝，用于密封连接所述围坝与所述边框之间的间隙。

根据本实用新型第一实施例的深紫外LED器件，至少具有如下有益效果：采用搅拌摩擦焊成型的焊缝把带边框的透镜和设有围坝的基板连接起来，实现了气密性封装，并且没有使用到有机硅胶等有机材料，实现了全无机封装。焊接过程只是局部高温，并不会因为温度过高而影响固晶质量和损害芯片，并且解决了深紫外LED照射下有机材料光解变性的问题，使得制造的深紫外LED适合在各种环境下使用，提高LED的稳定性和可靠性。鉴于本实用新型实施例的以上种种优势，结合紫外LED封装的实际情况，本实用新型实施例所公开LED器件也同样适用于整个紫外波段LED器件的封装。

根据本实用新型的一些实施例，所述基板上具有一凹槽，所述凹槽与所述透镜之间构成所述内腔，所述深紫外LED芯片位于所述凹槽内。

根据本实用新型的一些实施例，所述深紫外LED芯片通过固晶层固定于所述基板。

根据本实用新型的一些实施例，所述固晶层为无铅锡膏。

根据本实用新型的一些实施例，所述固晶层为导电固晶层，还用于所述深紫外LED芯片与所述基板上的正负电极连接。

根据本实用新型的一些实施例，所述深紫外LED芯片与所述基板上的正负电极通过导线电气连接。