[实用新型]一种超导腔用低温磁场补偿系统有效
申请号: | 201921751126.7 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN211505846U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 米正辉;沙鹏;贺斐思;翟纪元 | 申请(专利权)人: | 中国科学院高能物理研究所 |
主分类号: | G01R33/00 | 分类号: | G01R33/00;G01R1/18 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人: | 司立彬 |
地址: | 100049 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超导 低温 磁场 补偿 系统 | ||
1.一种超导腔用低温磁场补偿系统,包括磁屏蔽筒体和测试吊架,所述测试吊架用于连接超导腔,将所述超导腔固定在所述磁屏蔽筒体内;其特征在于,还包括一励磁系统;所述励磁系统用于安装在所述超导腔上,对地磁场和超导腔工装设备的剩磁进行抵消或补偿。
2.如权利要求1所述的超导腔用低温磁场补偿系统,其特征在于,所述励磁系统包括薄膜加热器、若干温度传感器、若干磁通门传感器和两个励磁线圈;其中,两所述励磁线圈分别用于安装在所述超导腔上、下两端的束管上,并通过连接杆组合成为一个整体;所述薄膜加热器用于安装在所述超导腔上,用来改变超导腔的温度;所述温度传感器用于安装在所述超导腔上,用来实时监测超导腔设定位置的温度,并将采集的温度信息发送给数据采集及硬件控制系统;所述磁通门传感器用于安装在所述超导腔上,用来监测超导腔设定位置的磁场,并将监测的磁场信息发送给数据采集及硬件控制系统,数据采集及硬件控制系统根据所述磁通门传感器监测的磁场数值调整所述励磁线圈的电流。
3.如权利要求2所述的超导腔用低温磁场补偿系统,其特征在于,包括三套所述磁通门传感器;三套所述磁通门传感器用于均匀分布在所述超导腔的赤道面上,并且所述磁通门传感器的安装方向与所述超导腔轴向平行。
4.如权利要求2所述的超导腔用低温磁场补偿系统,其特征在于,所述薄膜加热器用于粘贴在所述超导腔的上端束管中部。
5.如权利要求2所述的超导腔用低温磁场补偿系统,其特征在于,所述薄膜加热电阻材质为聚酰亚胺材质。
6.如权利要求2所述的超导腔用低温磁场补偿系统,其特征在于,包括三个温度传感器,分别用于安装在所述超导腔上、下束管的根部和赤道位置上。
7.如权利要求1所述的超导腔用低温磁场补偿系统,其特征在于,还包括一内层磁屏蔽顶盖,所述内层磁屏蔽顶盖安装在所述测试吊架的吊板上方。
8.如权利要求7所述的超导腔用低温磁场补偿系统,其特征在于,所述内层磁屏蔽顶盖为圆形结构,所述内层磁屏蔽顶盖的外边缘开有四个大孔和四个小孔;所述大孔用于所述磁屏蔽筒体的真空管道穿过,所述小孔作为射频电缆、加热器和传感器电缆的通道。
9.如权利要求1所述的超导腔用低温磁场补偿系统,其特征在于,所述磁屏蔽筒体包括内层磁屏蔽筒体和外层磁屏蔽筒体;内层磁屏蔽筒体安装在杜瓦内层内并浸泡在液氦里,外层磁屏蔽筒体安装在杜瓦液氮冷屏和杜瓦外层之间的隔热真空中;内层磁屏蔽筒体与杜瓦内层之间安装有支撑块,杜瓦内层与液氮冷屏之间安装有支撑块,液氮冷屏与外层磁屏蔽筒体之间安装有支撑块,外层磁屏蔽筒体与杜瓦外层之间安装有支撑块。
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