[实用新型]一种PECVD薄膜沉积腔室

权利要求书

1.一种PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，包括：

沉积腔室本体，

上电极和下电极，均设置在所述沉积腔室本体内部，所述上电极和下电极用于施加电源，并在所述上电极和下电极之间形成等离子体；

真空腔室阀门，设置在所述沉积腔室本体内部，用于在开启状态下联通所述沉积腔室本体与大气压，并且在关闭状态下密封所述沉积腔室本体；

固定载具，所述固定载具与所述下电极固连，位于所述上电极和下电极之间，用于承载待加工工件。

2.根据权利要求1所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述固定载具为导电材料的固定载具。

3.根据权利要求2所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述固定载具为石墨固定载具、碳纤维固定载具、铝制固定载具中的一种。

4.根据权利要求1所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述上电极和下电极用于施加RF射频电源或VHF甚高频电源。

5.根据权利要求1-3任一项所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，还包括磁场装置和气源入口；

所述气源入口，用于在所述真空腔室阀门关闭状态下向所述沉积腔室本体内输送工艺气源。

6.根据权利要求1-3任一项所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述固定载具是单层固定载具、两层固定载具或多层固定载具中的一种。