[实用新型]一种非接触电容耦合式大容差射频同轴连接器有效
| 申请号： | 201921759489.5 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN211377108U | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 武向文;张朋;王彩俭 | 申请（专利权）人： | 中航富士达科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01R24/40 | 分类号： | H01R24/40;H01R13/02;H01R13/40;H01R13/631;H01R24/00;H01R13/66;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 710077*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 电容 耦合 式大容差 射频 同轴 连接器 | ||
1.一种非接触电容耦合式大容差射频同轴连接器，包括相互耦合连接的公端连接器(A)以及母端连接器(B)，所述的公端连接器(A)包括第一内导体(A-1)以及第一外导体(A-2)，所述的母端连接器包括第二内导体(B-1)以及第二外导体(B-2)；其特征在于，所述的第一外导体(A-1)的直径小于第二外导体(B-1)直径，所述第一内导体(A-2)直径小于第二内导体(B-2)直径；
所述的第一外导体(A-1)与第二外导体(B-1)之间的耦合距离小于第一内导体(A-2)与第二内导体(B-2)之间的耦合距离；
所述的公端连接器(A)远离母端连接器(B)的一端设置有第一法兰(A-3)，所述的母端连接器(B)远离公端连接器(A)的一端设置有第二法兰(B-3)；
所述的第一法兰(A-3)与第二法兰(B-3)之间的距离大于第一外导体(A-1)与第二外导体(B-1)耦合段的长度；
且
所述的第一法兰(A-3)与第二法兰(B-3)之间的距离大于第一内导体(A-2)与第二内导体(B-2)耦合段的长度；
连接器实现±0.7mm的径向容差和±1mm的轴向容差。
2.如权利要求1所述的非接触电容耦合式大容差射频同轴连接器，其特征在于，在所述的第二内导体(B-2)的内侧设置有隔离层，在所述第一内导体(A-2)的外侧设置有隔离层。
3.如权利要求2所述的非接触电容耦合式大容差射频同轴连接器，其特征在于，在所述的第二外导体(B-1)的内侧设置有隔离层，在所述的第一外导体(A-1)的外侧设置有隔离层。
4.如权利要求2或3任一项权利要求所述的非接触电容耦合式大容差射频同轴连接器，其特征在于，所述的隔离层包括分布式电容。
5.如权利要求1所述的非接触电容耦合式大容差射频同轴连接器，其特征在于，在所述的第一内导体(A-2)的外侧设置有绝缘层；在所述第一外导体(A-1)的外侧设置有绝缘层。
6.如权利要求5所述的非接触电容耦合式大容差射频同轴连接器，其特征在于，所述的绝缘层为PEEK材料层。
7.如权利要求1所述的非接触电容耦合式大容差射频同轴连接器，其特征在于，所述的第一外导体(A-2)的开口处设置有环状插口(A-4)，所述插口(A-4)靠近第一外导体(A-2)一端的直径至插口(A-4)远离第一外导体(A-2)一端的直径逐渐减小。
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