[实用新型]直流母排

说明书

本公开提供一种直流母排，直流母排包括主直流母排、第一附加直流排和第二附加直流排，主直流母排上设置有至少一电容元件；第一附加直流排和第二附加直流排，第一附加直流排的一端以及第二附加直流排的一端分别与主直流母排电连接，且第一附加直流排与第二附加直流排的长度之和大于或等于主直流母排长度的2/3。如此，由于在主直流母排的基础上增加了第一及第二附加直流排，使得主直流母排对外连接的阻抗增加，因此流过直流母线电容的纹波电流减小，导致直流母线电容的损耗降低，从而有利于提高电力电子装置的可靠性。

技术领域

本公开涉及一种母排，特别涉及一种直流母排。

背景技术

随着电力电子装置向更大功率的方向发展，对于这类装置内功率模块的设计提出了更高的要求。常见的功率模块由功率半导体开关器件，如IGBT (Insulated-GateBipolar Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)等，直流母线电容和连接母线等部分组成，其中直流母线电容最主要的作用是：支撑直流母线电压，以及吸收来自整流器和逆变器的交流电流分量，防止这些交流电流分量在直流母线上产生过高的交流电压分量。

考验直流母线电容的主要参数是流过电容的电流，而影响直流母线电容所流过电流的主要因素包括：功率模块的输入/输出电流，功率模块的开关频率，功率模块内直流母线电容的容值以及功率模块间的连接方式等。随着电力电子装置的功率的增加和开关频率的提高，都会导致功率模块内直流母线电容所流过的交流电流增大，而电容内交流电流的增大会使得电容的损耗增加，温升提高，进而影响电容的使用寿命。

业界现有的用于降低直流母线电容的电流的方法通常有以下几种：(1) 在设备内增加直流母线电容池或在功率模块内增加电容数量，从而减小流过单颗电容的交流电流，但是该方法会增大设备的体积和重量，降低设备的可靠性和可维护性；(2)三相功率模块中相与相之间的连接采用叠排的方式，以减小整流侧/逆变侧相与相之间的阻抗，进而减小由三相环流引起的电容纹波电流。但是该方法存在一定的局限性，即相比于三相集成功率模块，杂散电感较大，在一定程度上其电容上的纹波电流会比三相集成模块的要大。

因此，如何发展一种直流母排，以减小大功率电力电子装置中直流母线电容电流，延长电容使用寿命，进而提高电力电子装置的可靠性，实为目前迫切的需求。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种直流母排，使得直流母排对外连接的等效阻抗增大，进而减小直流母线电容上的电流，一方面可减少直流母线电容数量，另一方面可降低电容的损耗，延长电容使用寿命，提高电力电子装置的可靠性。

为达上述目的，本公开提供一种直流母排，包括主直流母排以及至少一附加直流排。所述主直流母排用于设置至少一电容元件；至少一附加直流排，每个所述附加直流排的一端均与所述主直流母排电连接，且所述附加直流排的长度的总和大于或等于所述主直流母排长度的2/3。

上述的直流母排，其中，所述至少一附加直流排包括第一附加直流排和第二附加直流排，所述第一附加直流排的一端及所述第二附加直流排的一端分别与所述主直流母排电连接，且所述第一附加直流排与所述第二附加直流排的长度总和大于或等于所述主直流母排长度的2/3。

上述的直流母排，其中，所述主直流母排包括第一层和第二层，所述第一附加直流排与所述主直流母排的所述第一层电连接，所述第二附加直流排与所述主直流母排的所述第二层电连接。

上述的直流母排，其中，所述第一附加直流排及所述第二附加直流排分别与所述主直流母排的同一侧或者相对的两侧电连接。

上述的直流母排，其中，所述至少一附加直流排与所述主直流母排一体成型。

上述的直流母排，其中，所述至少一附加直流排通过锁固方式或者焊接方式与所述主直流母排电连接。