[实用新型]一种具有发射极钝化接触的P型高效电池结构有效
| 申请号： | 201921775177.3 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN210379062U | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;尹丙伟;杨蕾;余波;王岚 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司;通威太阳能（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 刘静怡 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 发射极 钝化 接触 高效 电池 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有发射极钝化接触的P型高效电池结构，包括P型硅(1)，所述P型硅(1)上方依次沉积有二氧化硅层(2)和正面氮化硅层(6)，所述P型硅(1)下方依次沉积有氧化铝层(4)和背面氮化硅层(5)，所述背面氮化硅层(5)远离氧化铝层(4)一侧设置有背电极(8)，所述背电极(8)依次穿过背面氮化硅层(5)和氧化铝层(4)、并与P型硅(1)欧姆接触，其特征在于：位于所述二氧化硅层(2)上方的正面氮化硅层(6)中设置有掺杂多晶硅层(3)，所述掺杂多晶硅层(3)上方对应设置有与其欧姆接触的正电极(7)。
2.根据权利要求1所述的一种具有发射极钝化接触的P型高效电池结构，其特征在于：所述掺杂多晶硅层(3)的厚度设置为50-300nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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