[实用新型]一种TOPCON钝化结构

说明书

本实用新型的目的在于公开一种TOPCON钝化结构，包括N型或P型的硅片基体，在所述硅片基体的表面由内至外依次设置有隧穿二氧化硅层、TOPCon结构的掺杂多晶硅层/非晶硅层、含磷的氧化硅层SiOx：P或含硼的氧化硅层SiOx：B及SiNx顶盖层；与现有技术相比，通过退火过程生长的含磷氧化硅层SiOx：P或者含硼氧化硅层SiOx：B作为太阳能电池TOPCon结构的表面钝化层，不需要额外的工序来实现掺杂层表面钝化层生长，简化太阳能电池制备工艺流程，提高了TOPCon结构对硅片基体掺杂层的钝化质量，实现本实用新型的目的。

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池的钝化结构，特别涉及一种TOPCON钝化结构。

背景技术

光伏发电是当前利用太阳能的主要方式之一，太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利和高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此，深入研究和利用太阳能资源，对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。

TOPCon钝化结构集合了化学钝化和场钝化的优势于一体，相比传统的化学钝化结构SiOx以及场钝化结构AlOx、SiNx，TOPCon钝化结构对硅基体的掺杂层表面有更优异钝化效果。而且TOPCon钝化结构可以减少甚至消除金属电极与硅基体掺杂区形成金属接触部分的复合电流，降低接触电阻。TOPCon钝化结构作为太阳电池钝化层可以大幅改善电池表面钝化效果，提升电池转换效率。

常规的TOPCon钝化结构掺杂的多晶硅/非晶硅表面采用SiNx作为钝化层，由于SiNx对多晶硅/非晶硅表面钝效果较差，影响TOPCon结构对硅基体掺杂层的钝化质量，限制的电池转换效率的进一步提升。

因此，特别需要一种TOPCON钝化结构，以解决上述现有存在的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种TOPCON钝化结构，针对现有技术的不足，对硅基体掺杂层具有优异钝化效果，以提高太阳能电池的光电转化效率。

本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

一种TOPCON钝化结构，其特征在于，包括N型或P型的硅片基体，在所述硅片基体的表面由内至外依次设置有隧穿二氧化硅层、TOPCon结构的掺杂多晶硅层/非晶硅层、含磷的氧化硅层SiOx：P或含硼的氧化硅层SiOx：B及SiNx顶盖层；所述隧穿二氧化硅层的厚度为0-5nm，所述TOPCon结构的掺杂多晶硅层或非晶硅层的厚度为5-5000nm，所述含磷的氧化硅层SiOx：P或者含硼的氧化硅层SiOx：B的厚度为1-200nm，所述SiNx顶盖层的厚度为1-200nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述隧穿二氧化硅层的厚度为1-2nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述TOPCon结构的掺杂多晶硅层或非晶硅层的厚度为100-200nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述含磷氧化硅层SiOx：P的厚度为10-20nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述含硼氧化硅层SiOx：B的厚度为10-20nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述SiNx顶盖层的厚度为50-140nm。

本实用新型的TOPCON钝化结构，与现有技术相比，通过退火过程生长的含磷氧化硅层SiOx：P或者含硼氧化硅层SiOx：B作为太阳能电池TOPCon结构的表面钝化层，不需要额外的工序来实现掺杂层表面钝化层生长，简化太阳能电池制备工艺流程，提高了TOPCon结构对硅片基体掺杂层的钝化质量，实现本实用新型的目的。

本实用新型的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。

附图说明

图1为本实用新型的TOPCON钝化结构的结构示意图。