[实用新型]一种片式叠层耦合器

权利要求书

1.一种片式叠层耦合器，其特征在于，包括：

陶瓷基体(100)；

位于陶瓷基体(100)外表面的第一输入引脚(PO1)、第一输出引脚(PO3)、第二输入引脚(PO2)以及第二输出引脚(PO4)；

位于陶瓷基体(100)上、下表面的上接地层(PG1)和下接地层(PG2)；

位于陶瓷基体(100)内部的第一折叠耦合带状线(TL1)及其引出端A(P1)和引出端B(P3)，以及，第二折叠耦合带状线(TL2)及其引出端C(P2)和引出端D(P4)；

其中：

第一输入引脚(PO1)、引出端A(P1)、第一折叠耦合带状线(TL1)、引出端B(P3)及第一输出引脚(PO3)依次连接成为一路信号走线；第二输入引脚(PO2)、引出端C(P2)、第二折叠耦合带状线(TL2)、引出端D(P4)、第二输出引脚(PO4)依次连接成为另一路信号走线。

2.如权利要求1所述的片式叠层耦合器，其特征在于，第一输入引脚(PO1)、第一输出引脚(PO3)、第二输入引脚(PO2)以及第二输出引脚(PO4)分别位于陶瓷基体(100)外表面的四个角上，且通过在陶瓷基体表面金属化而形成。

3.如权利要求1所述的片式叠层耦合器，其特征在于，第一折叠耦合带状线(TL1)和第二折叠耦合带状线(TL2)以间隔层叠的方式位于陶瓷基体内，且在层叠方向上重合。

4.如权利要求1所述的片式叠层耦合器，其特征在于，第一折叠耦合带状线(TL1)和第二折叠耦合带状线(TL2)均是平面弯折线，且弯折处倒角。

5.如权利要求2所述的片式叠层耦合器，其特征在于，上接地层(PG1)和下接地层(PG2)具有相同的形状，均呈空心加号状；上接地层(PG1)最外侧的四条边分别与陶瓷基体上表面的四条边齐平，下接地层(PG2)最外侧的四条边分别与陶瓷基体下表面的四条边齐平。

6.如权利要求5所述的片式叠层耦合器，其特征在于，上接地层(PG1)与下接地层(PG2)之间通过陶瓷基体表面金属化形成的金属带连接导通。

7.如权利要求6所述的片式叠层耦合器，其特征在于，陶瓷基体四个侧面各形成有一条所述金属带，即共四条金属带(PH1、PH2、PH3、PH4)；每条金属带两端分别连接上接地层(PG1)和下接地层(PG2)的最外侧的一条边。