[实用新型]一种沟槽型功率开关器件

权利要求书

1.一种沟槽型功率开关器件，所述功率开关器件为MOSFET、IGBT、肖特基二极管或PiN二极管，所述功率开关器件包括衬底、在所述衬底上通过外延生长形成N型外延层、在所述衬底上刻蚀形成的沟槽、在所述沟槽内部形成的栅极、在所述衬底上通过注入P型掺杂形成的体区、在衬底上进行N型掺杂注入形成的源区、与所述源区相连的源极以及形成在所述衬底上的漏极，其特征在于，还包括通过注入P型掺杂形成的P型埋层和外围P型区，所述P型埋层形成在所述沟槽的底部，所述外围P型区形成在所述沟槽的外围，所述P型埋层与所述外围P型区相连，并通过所述外围P型区接地和源区。

2.如权利要求1所述的沟槽型功率开关器件，其特征在于，在所述沟槽内部具有热氧氧化形成的栅极氧化层，所述栅极在所述栅极氧化层上进行多晶硅淀积形成，所述P型埋层位于所述栅极氧化层的下方。

3.如权利要求1所述的沟槽型功率开关器件，其特征在于，所述衬底为N型衬底。

4.如权利要求3所述的沟槽型功率开关器件，其特征在于，所述衬底为N型硅片。

5.如权利要求1所述的沟槽型功率开关器件，其特征在于，所述N型外延层的厚度为5～6μm。

6.如权利要求1至5任一项所述的沟槽型功率开关器件，其特征在于，所述外围P型区为环绕所述沟槽的P型环。

7.如权利要求1至5任一项所述的沟槽型功率开关器件，其特征在于，在深度方向上，所述外围P型区的上端延伸到所述源区，下端延伸到所述P型埋层。

8.如权利要求1至5任一项所述的沟槽型功率开关器件，其特征在于，在所述衬底上设置有接触孔刻蚀，所述接触孔穿过所述源区进入所述体区。