[实用新型]一种高结温LED芯片

权利要求书

1.一种高结温LED芯片，包括衬底、设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层和第一电极、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的第二电极，其特征在于，第一半导体层和第一电极之间设有第一接触层，第二半导体层和第二电极之间设有第二接触层，第一电极和第二电极均依次包括反射层、阻绝层和打线接触层，所述反射层由第一金属制成，所述阻绝层由第二金属制成，所述打线接触层由第三金属制成，其中，所述第一金属的金属活性小于Cr的金属活性，且第一金属的反射率大于80％，所述阻绝层用于阻挡反射层的金属迁移。

2.如权利要求1所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第二金属的金属活性＜第一金属的金属活性。

3.如权利要求2所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第三金属的金属活性＜第二金属的金属活性＜第一金属的金属活性。

4.如权利要求3所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第一金属为Rh，所述第二金属为Pt或Pd，所述第三金属为Au。

5.如权利要求1所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第一金属为Rh，所述第二金属为W或TiW，所述第三金属为Au。

6.如权利要求1所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第一接触层和第二接触层均为透明导电层，所述透明导电层由氧化铟锡或铟锌氧化物制成，所述透明导电层的厚度为300～3000埃。

7.如权利要求1所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述反射层的厚度为1000～5000埃，所述阻绝层的厚度为300～3000埃。