[实用新型]一种倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201921780647.5 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN210805815U | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 崔永进;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 | ||
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：外延层、透明导电层、反射层、阻挡层、第一钝化层、钝化支撑层、连接电极和焊接电极，所述透明导电层结合在外延层的正面上，所述反射层结合在透明导电层上，所述阻挡层结合在反射层上，所述第一钝化层结合在阻挡层上，所述连接电极结合在第一钝化层上并与外延层导电连接，所述钝化支撑层结合在连接电极和第一钝化层上，所述焊接电极结合在钝化支撑层上并与连接电极导电连接，所述钝化支撑层用于支撑芯片并起绝缘的作用，所述外延层发出的光经过反射层反射后，直接从外延层的背面出射。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述钝化支撑层由SiO2、Al2O3和SiNx中的一种制成。
3.如权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述钝化支撑层的厚度为120～170μm。
4.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述透明导电层设置在第二半导体层和反射层之间，有源层的出光从第一半导体层的背面出射。
5.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层的背面设有粗化结构，其中，粗化深度为0.8～1.2μm。
6.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述连接电极包括第一连接电极和第二连接电极，其中，第一连接电极贯穿第一钝化层、阻挡层、金属反射层和透明导电层，并与第一半导体层连接；所述第二连接电极贯穿第一钝化层和阻挡层，并与金属反射层连接。
7.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层由SiO2、Al2O3或SiNx制成。
8.如权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为6000～10000埃。
9.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层由Ag或Al制成，厚度为1000～3000埃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921780647.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
