[实用新型]显示面板及阵列基板有效
申请号: | 201921783228.7 | 申请日: | 2019-10-22 |
公开(公告)号: | CN210403730U | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 李盼;吴新银 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 阵列 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
第一金属层,包括至少一个第一导线,所述第一导线具有交叠段以及连接于所述交叠段两端的连接段,且所述交叠段的延伸方向和所述连接段的延伸方向不同;
绝缘层,覆盖于所述第一金属层,且所述绝缘层对应于所述第一导线的区域为向背离所述第一金属层的方向凸起的凸棱;
第二金属层,设于所述绝缘层背离所述第一金属层的一侧,且包括至少一个第二导线,所述第二导线在所述凸棱对应于所述交叠段的区域与所述凸棱相交。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述交叠段的两侧边均具有向内凹陷的凹陷区。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述交叠段的一侧边具有向内凹陷的凹陷区,另一侧边具有向外凸起的凸出区,所述凸出区小于所述凹陷区。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导线对应于所述交叠段的区域的至少一侧边具有向内凹陷的凹陷区。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导线对应于所述交叠段的区域的一侧边具有向内凹陷的凹陷区,另一侧边具有向外凸起的凸出区,且所述交叠段在所述第二金属层上的正投影覆盖所述凸出区的部分区域和所述凹陷区的全部区域。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述凹陷区和所述凸出区的轮廓为曲线和折线中至少一个。
7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述交叠段两端的连接段沿相互平行的两个直线轨迹延伸。
8.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述交叠段两端的连接段沿同一直线轨迹延伸。
9.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导线与所述连接段垂直。
10.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导线的数量为多个,且至少部分所述第一导线作为栅线,至少部分所述第一导线作为公共电极线,所述第二导线的数量为多个,且至少部分所述第二导线作为数据线。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线和所述数据线横纵交错围成多个像素区,所述阵列基板还包括:
多个阵列分布的薄膜晶体管,一一对应的设于各所述像素区,同一所述栅线连接同一行所述薄膜晶体管的栅极,同一所述数据线连接同一列所述薄膜晶体管的源极;
多个阵列分布的像素电极,一一对应的设于各所述像素区,且与所处像素区内的薄膜晶体管的漏极连接;
多个阵列分布的公共电极,与所述第一金属层同层设置,同一所述公共电极线连接同一行所述公共电极。
12.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线与所述栅极连接的区域向所述栅极凸起,并与所述栅极连接。
13.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-12任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的