[实用新型]阵列基板及显示面板

说明书

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管与金属氧化半导体薄膜晶体管间隔设置，多晶硅薄膜晶体管位于第一区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管位于第二区域，用于驱动像素电极，多晶硅薄膜晶体管为顶栅结构，金属氧化物薄膜晶体管为底栅结构。本实用新型实施例提供的阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗。

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高清画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。

目前，平板显示器件向大尺寸、高集成度、高分辨率、高驱动频率方向发展，对迁移率的要求越来越高，因而基于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的面板技术成为主流。

然而，上述现有技术提供的低温多晶硅薄膜晶体管虽然迁移率高，但是其关态电流大，用它驱动像素电极时，存在功耗高的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，能有效降低显示面板的功耗。

本实用新型一方面提供一种阵列基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管间隔设置，所述第一薄膜晶体管位于第一区域，所述第二薄膜晶体管位于第二区域；

所述第一薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、栅极绝缘层、第一栅极、栅极保护层、第一保护层，第一源极和第一漏极设置在第一保护层上，所述栅极绝缘层、所述栅极保护层和所述第一保护层上具有多个第一过孔，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通；

所述第二薄膜晶体管包括依次设置在所述栅极绝缘层上的第二栅极、栅极保护层、第二半导体层、第一保护层，第二源极和第二漏极设置在第一保护层上，所述第一保护层上具有多个第二过孔，所述第二源极和所述第二漏极分别通过第二过孔与所述第二半导体层连通；

所述第一半导体层为多晶硅半导体层，所述第二半导体层为金属氧化物半导体层。

进一步地，还包括第二保护层和像素电极，所述第二保护层覆盖在所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极上，第二保护层上具有接触过孔，所述像素电极覆盖在所述第二保护层上并通过所述接触过孔与所述第二漏极连通。

进一步地，还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底基板和所述第一半导体层之间，所述缓冲层包括上下两层，所述缓冲层的上层为氧化硅，所述缓冲层的下层为氮化硅。

进一步地，所述氧化硅的厚度为所述氮化硅的厚度为

进一步地，所述第一栅极和所述第二栅极由栅金属层在同一次光刻中形成。

进一步地，所述栅金属层包括金属铜。

进一步地，所述栅金属层还包括设置在金属铜下方的金属缓冲层，所述金属缓冲层包括金属钼或金属钛。