[实用新型]阵列基板及显示面板

说明书

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，包括：衬底基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、像素电极、刻蚀阻挡层、源极和漏极；栅极覆盖在衬底基板上，栅极绝缘层覆盖在栅极和衬底基板上，有源层和像素电极均覆盖在栅极绝缘层上，有源层和像素电极断开设置，有源层位于栅极的上方；源极和漏极均覆盖在有源层上，源极和漏极之间具有沟道区，刻蚀阻挡层覆盖在像素电极上以及位于沟道区内的有源层上；覆盖在像素电极上的刻蚀阻挡层上具有导电过孔，漏极通过导电过孔与像素电极连通。本实用新型提供的阵列基板，与现有技术中的阵列基板相比，减少了二次光刻工艺，制作工艺简单，可以提升生产效率，有着很高的使用价值。

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

现有技术中的阵列基板一般需要采用六次光刻工艺进行制作，主要是因为在刻蚀源漏金属电极时会腐蚀掉金属半导体层，因此一般在金属半导体层上面增加一次刻蚀阻挡层，保护金属半导体层不被源漏金属的刻蚀液腐蚀，因此一般采用六次光刻工艺。

现有技术中的阵列基板，制作工艺复杂，生产效率低，制作成本高。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，通过巧妙地设计阵列基板的结构，仅需进行四次光刻工艺即可完成阵列基板的制作，减少了两次光刻工艺，制作工艺简单，可以提升生产效率，有着很高的使用价值。

本实用新型一方面提供一种阵列基板，包括：衬底基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、像素电极、刻蚀阻挡层、源极和漏极；

所述栅极覆盖在所述衬底基板上，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极和所述衬底基板上，所述有源层和所述像素电极均覆盖在所述栅极绝缘层上，所述有源层和所述像素电极断开设置，所述有源层位于所述栅极的上方；

所述源极和所述漏极均覆盖在所述有源层上，所述源极和所述漏极之间具有沟道区，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述像素电极上以及位于所述沟道区内的所述有源层上；

覆盖在所述像素电极上的刻蚀阻挡层上具有导电过孔，所述漏极通过所述导电过孔与所述像素电极连通。

进一步地，所述有源层和所述像素电极由金属氧化物半导体层在同一次光刻工艺中形成。

进一步地，所述金属氧化物半导体层包括非晶铟镓锌氧化物a-IGZO。

进一步地，所述金属氧化物半导体层的厚度为

进一步地，还包括钝化层，所述钝化层覆盖在所述刻蚀阻挡层、所述栅极绝缘层、所述源极、所述漏极上。

进一步地，所述钝化层包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

进一步地，所述刻蚀阻挡层包括氧化物、氮化物和氮氧化合物中的至少一种。

进一步地，所述刻蚀阻挡层为氧化铝。

进一步地，所述刻蚀阻挡层的厚度为

本实用新型另一方面提供一种显示面板，其包括如上所述的阵列基板。

本实用新型提供的阵列基板及显示面板，采用刻蚀阻挡层保护金属半导体层不被源漏金属的刻蚀液腐蚀，同时通过巧妙地设计金属氧化物薄膜晶体管的结构，利用一次光刻工艺形成刻蚀阻挡层、有源层和像素电极的图案，与现有技术中的阵列基板相比，减少了二次光刻工艺，制作工艺简单，可以提升生产效率，有着很高的使用价值。

附图说明