[实用新型]氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达

说明书

本实用新型涉及一种氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达。其中，氮化镓HEMT管集成电路包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；反向续流单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；泄放单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。通过针对主管芯第一氮化镓HEMT管配置反向续流单元，使氮化镓HEMT管集成电路具备良好的反向续流能力，配置泄放单元为第一氮化镓HEMT泄放电流，提高雪崩耐量，从而提高主管芯第一氮化镓HEMT管的容限范围，能够在更多场景下取代MOSFET，获得比MOSFET更优的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达。

背景技术

随着对于科技产品的技术迭代，无论是消费电子产品、通讯硬件、电动车还是家用电器，如何提升电源转换能效、提高功率密度水平、延长电池使用时间和加快开关速度都是必须考虑的问题。基于这些问题的改善，电子产业定会变得越来越依赖于新型的功率半导体——氮化镓(GaN)HEMT(High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管)。

与MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属 -氧化物半导体场效应晶体管)比较，氮化镓HEMT管可以更快速的转换。但与 MOSFET相比，氮化镓HEMT管反向续流能力差，并且雪崩性能差，在一些应用场景下无法完全取代MOSFET。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达。

一种氮化镓HEMT管集成电路，包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；

反向续流单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；

泄放单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。

在其中一个实施例中，反向续流单元包括：第二氮化镓HEMT管；

第二氮化镓HEMT管的源极与第一氮化镓HEMT管的漏极连接，漏极与第一氮化镓HEMT管的源极连接；

第二氮化镓HEMT管的栅极与漏极连接。

在其中一个实施例中，反向续流单元还包括：第三氮化镓HEMT管及第一电阻；

第一电阻的第一端与第一氮化镓HEMT管的漏极连接，第二端与第二氮化镓 HEMT管的源极连接；

第三氮化镓HEMT管的栅极与第二氮化镓HEMT管的源极连接，漏极与第一氮化镓HEMT管的源极连接，源极与第一电阻的第一端连接。

在其中一个实施例中，泄放单元包括：第二电阻、第三电阻及第四氮化镓 HEMT管；

第二电阻的第一端连接第四氮化镓HEMT管的栅极，第二端用于接地；

第三电阻的第一端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，第二端连接第四氮化镓 HEMT管的栅极；

第四氮化镓HEMT管的漏极连接第三电阻的第一端，源极用于接地。

在其中一个实施例中，泄放单元还包括：第四电阻及第五氮化镓HEMT管；

第四电阻的第一端连接第四氮化镓HEMT管的源极，第二端用于接地；