[实用新型]激光退火光路模组及退火装置有效
申请号: | 201921806064.5 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN210837652U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 张董洁;谢圣君;王昌焱;徐新峰;房用桥;王习文;潘明铮;孙玉芬;邢沐悦;吕启涛;高云峰 | 申请(专利权)人: | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 谭果林 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 火光 模组 退火 装置 | ||
本实用新型提供了一种激光退火光路模组,包括底座、第一调整支架、第二调整支架、第一调整框架、第二调整框架、镜框、透镜和反射镜;透镜安装于镜框内,镜框竖向可调节地设于第一调整框架内;第一调整框架安装于第一调整支架上,第一调整框架能够可调节地绕第一轴和第二轴转动,第一调整支架安装于底座上;反射镜安装于第二调整框架内,第二调整框架安装于第二调整支架上,第二调整框架能够可调节地绕第三轴和第四轴转动,第二调整支架安装于底座上;本实用新型还提供了一种退火装置,包括上述方案述及的激光退火光路模组。本实用新型提供的激光退火光路模组及退火装置,能实现对透镜和反射镜的多自由度调节,调节精度高。
技术领域
本实用新型属于激光退火技术领域,更具体地说,是涉及一种激光退火光路模组及退火装置。
背景技术
退火是一种材料热处理工艺,指的是将材料缓慢加热到一定温度,保持足够时间,然后以适宜速度冷却。退火的目的是降低材料的硬度,改善切削加工性;降低残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向;细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷。
随着集成电路的发展,对其损伤区、电学参数恢复程度以及注入离子电激活率的要求也越来越高。常规的热退火方法不能完全消除缺陷,对高剂量注入晶片的电激活率不够高,还会产生二次缺陷,并且在热退火过程中,整个晶片(包括注入层和衬底)都要经受一次高温处理,增加了表面污染,特别是高温长时间的热退火会导致明显的杂质再分布,破坏粒子注入技术固有的优点,限制了其在VLSI中的应用。
激光退火主要是利用高能量密度的激光束辐照退火材料表面,从而引起被照区域的温度突然升高,达到退火效果;激光束的能量密度、材料的吸收系数、热传导系数、反射系数和注入层的厚度都会影响激光退火的效果。激光退火的退火区域受热时间非常短,因而损伤区中杂质几乎不扩散,衬底材料中的少数载流子寿命及其它电学参数基本不受影响,退火效果好。激光退火能对材料的局部退火;通过选择激光的波长和能量密度,可在注入深度上和横截面上进行不同的退火过程,因而可以在同一硅片上制造出不同结深或者不同击穿电压的器件。
现有技术中的激光退火设备在对待退火产品进行退火时,反射镜和透镜只能在一个或两个方向上调节,导致透镜不能精确聚焦或扩束,反射镜不能精确地将激光器发射的激光反射至透镜或产品的待退火区域,调节精度低,影响了产品的退火质量;在透镜对激光进行多次调节及反射镜对激光的多次反射中,延长了激光光路,增大了退火设备的体积,增大了退火设备的占地面积。
实用新型内容
本实用新型的目的之一在于提供一种激光退火光路模组,以解决现有技术中存在的激光调节精度低的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:提供一种激光退火光路模组,包括底座、第一调整支架、第二调整支架、第一调整框架、第二调整框架、镜框、透镜和反射镜;
所述透镜安装于所述镜框内,所述镜框竖向可调节地设于所述第一调整框架内;所述第一调整框架安装于所述第一调整支架上,所述第一调整框架能够可调节地绕第一轴和第二轴转动,所述第一轴与所述第二轴垂直,所述第一调整支架安装于所述底座上;
所述反射镜安装于所述第二调整框架内,所述第二调整框架安装于所述第二调整支架上,所述第二调整框架能够可调节地绕第三轴和第四轴转动,所述第三轴和所述第四轴垂直,所述第二调整支架安装于所述底座上;
所述透镜和所述反射镜用于将激光器发射的激光导向待退火产品。
进一步地,所述第一调整支架上设有第一调节孔、第二调节孔、第一定位孔和多个第一连接孔,所有所述第一连接孔分布于所述第一轴和所述第二轴上,所述第一定位孔设于所述第一轴与所述第二轴的相交处;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造