[实用新型]一种MEMS器件

权利要求书

1.一种MEMS器件，其特征在于，包括：

器件硅片，包括位于其第一表面的微机械结构区和第一键合层；

封帽硅片，包括位于其第二表面的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层彼此接触且键合；以及

防粘附层，所述防粘附层覆盖所述微机械结构区的暴露表面以及所述第一键合层的侧壁，

所述第一键合层包括依次堆叠于所述器件硅片的第一表面的第一接触层、隔离层、第一金属层以及第二金属层，

其中，所述第一金属层为铝金属层，所述第二金属层为锗金属层。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第二键合层包括依次堆叠于所述封帽硅片第二表面的第二接触层和第三金属层，其中，所述第三金属层为锗金属层。

3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述隔离层选自氮化钛或者氮化钽。

4.根据权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一接触层和第二接触层选自钛金属层或者钽金属层。

5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述微机械结构区包括：

位于所述器件硅片中的第一空腔；以及

位于所述第一空腔上的可动部件，

其中，所述防粘附层覆盖所述可动部件以及所述第一空腔所暴露的器件硅片的侧壁表面。

6.根据权利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，所述防粘附层为单层或者多层结构。

7.根据权利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述防粘附层包括：

种子层，至少覆盖所述可动部件以及所述第一空腔所暴露的器件硅片的侧壁表面；以及

位于所述种子层上的单分子膜层。

8.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述种子层选自有机氧化硅或者有机氧化钛。

9.根据权利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，所述封帽硅片上还包括内凹的第二空腔，所述第二空腔的位置与所述第一空腔的位置相对应。

10.根据权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一接触层和所述第二接触层的厚度为200~300埃。

11.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述隔离层的厚度为1000~1500埃。

12.根据权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一金属层的厚度为1~2微米，所述第二金属层的厚度为20~40埃，所述第三金属层的厚度为0.6~1.2微米。

13.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述种子层和所述单分子膜层的厚度为10~30埃。

14.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件选自加速度计、陀螺仪、硅电容麦克风中的任意一种。