[实用新型]全局曝光图像传感器

权利要求书

1.一种全局曝光图像传感器，其特征在于，所述全局曝光图像传感器像素阵列中的像素单元包括：

第一输出单元，输出复位信号电压及图像信号电压；

第二输出单元，包括第二源极跟随晶体管及行选择晶体管；

采样保持单元，连接在所述第一输出单元和所述第二输出单元之间，所述采样保持单元包括并行连接的复位信号采样存储单元和图像信号采样存储单元；

控制电路和读出电路，对所述像素阵列的输出进行读取控制和量化处理；

所述第二输出单元分别输出存储的复位信号电压和图像信号电压；所述全局曝光图像传感器输出图像信号的有效值为分别量化处理后的所述复位信号电压和所述图像信号电压的差值。

2.根据权利要求1所述的全局曝光图像传感器，其特征在于，所述复位信号采样存储单元包括复位信号存储控制晶体管，复位信号存储电容，以及复位信号读取控制晶体管；所述复位信号存储控制晶体管连接至所述第一输出单元的输出端；所述复位信号存储控制晶体管和所述复位信号读取控制晶体管串行连接；所述复位信号存储电容连接至所述复位信号存储控制晶体管和所述复位信号读取控制晶体管的连接点，另一端接地。

3.根据权利要求1所述的全局曝光图像传感器，其特征在于，所述图像信号采样存储单元包括图像信号存储控制晶体管，图像信号存储电容，以及图像信号读取控制晶体管；所述图像信号存储控制晶体管连接至所述第一输出单元的输出端；所述图像信号存储控制晶体管和所述图像信号读取控制晶体管串行连接；所述图像信号存储电容连接至所述图像信号存储控制晶体管和所述图像信号读取控制晶体管的连接点，另一端接地。

4.根据权利要求1所述的全局曝光图像传感器，其特征在于，所述第一输出单元包括第一源极跟随晶体管和偏置控制晶体管，所述偏置控制晶体管连接在所述第一源极跟随晶体管的源极和地线之间。

5.根据权利要求1所述的全局曝光图像传感器，其特征在于，所述第一输出单元包括第一源极跟随晶体管，所述第一源极跟随晶体管的漏极连接可变电压源。

6.一种全局曝光图像传感器，其特征在于，所述全局曝光图像传感器的像素阵列中的像素单元包括：

第一输出单元，输出复位信号电压及图像信号电压；

第二输出单元，包括第二源极跟随晶体管及行选择晶体管；

采样保持单元，包括复位信号采样存储单元，图像信号采样存储单元，及

读取控制晶体管；所述图像信号采样存储单元串行连接所述读取控制晶体管，与所述复位信号采样存储单元并行连接在所述第一输出单元和所述第二输出单元之间；

控制电路和读出电路，对所述像素阵列的输出进行读取控制和量化处理；

所述第二输出单元分别输出存储的复位信号电压，以及复位信号电压和图像信号电压的平均值；所述全局曝光图像传感器输出图像信号的有效值为分别量化处理后的所述复位信号电压与所述复位信号电压和图像信号电压平均值的差值。

7.根据权利要求6所述的全局曝光图像传感器，其特征在于，所述复位信号采样存储单元包括复位信号存储控制晶体管和复位信号存储电容，所述复位信号存储控制晶体管连接在所述第一输出单元和所述第二输出单元之间；所述复位信号存储电容一端连接至所述第二输出单元的输入端，另一端接地。

8.根据权利要求6所述的全局曝光图像传感器，其特征在于，所述图像信号采样存储单元包括图像信号存储控制晶体管和图像信号存储电容，所述图像信号存储控制晶体管一端连接至所述第一输出单元，另一端连接至所述读取控制晶体管，所述图像信号存储电容一端连接至所述图像信号存储控制晶体管和所述读取控制晶体管的连接点，另一端接地。

9.根据权利要求7或8所述的全局曝光图像传感器，其特征在于，所述读取控制晶体管打开，所述复位信号采样存储单元存储的复位信号电压和所述图像信号采样存储单元存储图像信号电压平均后，所述读取控制晶体管关闭或保持打开。