[实用新型]高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器有效

专利信息
申请号: 201921825563.9 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN210405236U 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 胡峰;白强;唐瑜;柳永胜;于洁 申请(专利权)人: 苏州英嘉通半导体有限公司
主分类号: H03G1/00 分类号: H03G1/00;H03G3/30
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 周仁青
地址: 215000 江苏省苏州市相城区高铁*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 高共模 动态 范围 pvt 恒定 差分放大器
【说明书】:

实用新型揭示了一种高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器,所述差分放大器包括恒定跨导偏置电路、差分放大器电路及输入共模分量跟踪补偿电路,所述输入共模分量跟踪补偿电路用于提取输入信号的共模分量,所述恒定跨导偏置电路用于根据输入共模分量跟踪补偿电路反馈的共模分量提供偏置电压与电流,以抵消差分放大器电路的固有增益随PVT的变化。本实用新型中恒定跨导偏置电路能够抵消差分放大器电路的固有增益随PVT的变化,从而达到PVT恒定的特性,输入共模分量跟踪补偿电路能够提取输入信号的共模分量,扩大了差分放大器电路的共模动态范围。

技术领域

本实用新型属于集成电路技术领域,具体涉及一种高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器。

背景技术

具有高共模动态范围与PVT恒定的放大器在集成电路系统中具有非常广泛的应用需求,例如,广泛应用于点对点数据传输链路的数据接口中的低压差分信号(LVDS)接收机。LVDS接收机一般需要集成一个预置放大器来提高接收灵敏度,虽然输入信号为差分形式,但是不可避免的存在共模分量,当输入信号的共模分量超出一定范围时,容易引起LVDS接收机饱和,从而降低接收机性能。因此,LVDS的预置放大器需要能够提供高共模动态范围,同时兼具PVT恒定的特性。

因此,针对上述技术问题,有必要提供一种高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器,以解决现有技术中高共模动态范围及PVT恒定的问题。

为了实现上述目的,本实用新型一实施例提供的技术方案如下:

一种高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器,所述差分放大器包括恒定跨导偏置电路、差分放大器电路及输入共模分量跟踪补偿电路,所述输入共模分量跟踪补偿电路用于提取输入信号的共模分量,所述恒定跨导偏置电路用于根据输入共模分量跟踪补偿电路反馈的共模分量提供偏置电压与电流,以抵消差分放大器电路的固有增益随PVT的变化。

一实施例中,所述恒定跨导偏置电路包括共源共栅电流镜及偏置电流放大电路,所述共源共栅电流镜包括若干PMOS管、若干NMOS管及电阻RC,所述偏置电流放大电路包括运算放大器、与运算放大器两个输入端相连的电阻及与运算放大器输出端相连的NMOS管。

一实施例中,所述共源共栅电流镜用于提供偏置电流,其包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及电阻RC

其中,第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的栅极相连,第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的源极与电压VDD相连,第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的漏极分别与第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的源极相连,第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的栅极相连,第四PMOS管、第五PMOS管的漏极分别与第一NMOS管、第二NMOS管的漏极相连,第六PMOS管的漏极与偏置电流放大电路,第一NMOS管、第二NMOS管的栅极相连,第一NMOS管、第二NMOS管的源极分别与第三NMOS管、第四NMOS管的漏极相连,第三NMOS管、第四NMOS管的栅极相连,第三NMOS管的源极与电压VSS相连,第四NMOS管的源极接电阻RC后与电压VSS相连,所述第一NMOS管的栅极和漏极相连,第三NMOS管的栅极和漏极相连。

一实施例中,所述偏置电流放大电路用于放大共源共栅电流镜提供的偏置电流,其包括运算放大器、与运算放大器两个输入端相连的第一电阻和第二电阻、及运算放大器输出端相连的第九NMOS管;

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