[实用新型]一种低压低电容TVS器件

权利要求书

1.一种低压低电容TVS器件，其特征在于，包含衬底(101)；形成于衬底之上的缓冲外延层(201)；形成于缓冲外延层(201)上的雪崩二极管(D1)和TVS二极管(D3)；形成于雪崩二极管(D1)和TVS二极管(D3)上的本征外延层(301)；形成于本征外延层(301)之上的普通二极管(D2)和N型注入层(402)；沟槽结构(302)，所述沟槽结构穿透缓冲外延层(201)，深入衬底(101)；

所述雪崩二极管(D1)由缓冲外延层(201)和N型埋层(202)形成；所述普通二极管(D2)由P型注入层(401)和本征外延层(301)形成；所述TVS二极管(D3)由本征外延层(301)和缓冲外延层(201)形成。

2.根据权利要求1所述的一种低压低电容TVS器件，其特征在于，所述沟槽结构(302)为沟槽隔离环，所述沟槽隔离环深入衬底5-7um。

3.根据权利要求2所述的一种低压低电容TVS器件，其特征在于，所述沟槽隔离环分为用于将中心区域的二极管单独隔离的内隔离环和用于将整个器件隔离的外隔离环，所述内隔离环与所述外隔离环分别由两道环形成。

4.根据权利要求1所述的一种低压低电容TVS器件，其特征在于，所述缓冲外延层(201)为一层P型调节外延层沉淀。

5.根据权利要求4所述的一种低压低电容TVS器件，其特征在于，所述P型调节外延层沉淀为一层P型18-22微米、14-16毫欧姆厘米的调节外延层淀积。

6.根据权利要求1所述的一种低压低电容TVS器件，其特征在于，所述沟槽结构为2-3道沟槽隔离环。

7.根据权利要求1-6任一所述的一种低压低电容TVS器件，其特征在于，还包含用于引出I/O端的引线金属层(501)。