[实用新型]半导体结构及电子设备有效
| 申请号： | 201921839422.2 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN210668278U | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨健 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 电子设备 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底以及位于所述基底上的至少两个分立的凸起部；
阻隔层，所述阻隔层填充于相邻所述凸起部之间；其中，所述阻隔层包括间隙区域，在垂直于所述基底的方向上，所述间隙区域位于所述凸起部与所述基底之间；
位于所述阻隔层内的凹槽，所述凹槽侧壁垂直于所述基底；或者，在远离所述基底的方向上，所述凹槽的宽度增大。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述间隙区域内具有掺杂离子，所述掺杂离子用于降低所述间隙区域的刻蚀速率。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂离子的类型包括砷、铟或铬。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述凸起部的排列方向上，相邻所述凸起部之间的阻隔层内具有两个分立的所述凹槽。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的深宽比为4：1～6：1。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述阻隔层包括中间区域，所述中间区域位于相邻所述凹槽之间，所述中间区域内具有掺杂离子，所述掺杂离子用于降低所述中间区域的刻蚀速率。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述中间区域相对两侧的所述掺杂离子的浓度大于所述中间区域的中间位置的所述掺杂离子的浓度。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部包括导电层和位于所述导电层侧面的侧墙；所述间隙区域位于所述凸起部与所述基底之间，具体包括：所述间隙区域位于所述侧墙与所述基底之间。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层包括位线结构。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至9中任一项所述的半导体结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
