[实用新型]一种碳化硅单晶的制备装置

权利要求书

1.一种碳化硅单晶的制备装置，其包括加热单元、保温结构和坩埚，其特征在于，所述坩埚包括上部坩埚和下部坩埚，所述上部坩埚的坩埚盖内侧面设置籽晶；

所述加热单元包括电阻加热体组和感应加热线圈；和

所述电阻加热体组直接加热所述上部坩埚，所述感应加热线圈感应加热所述下部坩埚。

2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述保温结构包括保温侧壁，所述电阻加热体组设置在所述上部坩埚与所述保温侧壁之间，所述保温侧壁设置在所述感应加热线圈和所述下部坩埚之间。

3.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述上部坩埚对应的上部保温侧壁沿籽晶至原料的方向设置多个侧部测温孔。

4.根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于，所述多个侧部测温孔包括沿自籽晶至原料的方向均匀设置的第一测温孔至第n测温孔，所述n不小于2；

所述第n测温孔到所述籽晶的第一距离为30-200mm；

还包括装料桶，所述装料桶包括桶身和开口部，所述桶身设置在所述下部坩埚内，所述桶身与所述下部坩埚之间形成隔离空腔，所述开口部与所述上部坩埚转动连接；所述装料桶和所述上部坩埚形成物理气相传输法制备碳化硅单晶的生长腔，所述生长腔包括气相传输区和所述装料桶内的原料区；

所述装料桶升降时，原料区的顶面相对于所述籽晶的第二距离为20-200mm。

5.根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于，所述电阻加热体组中的每个电阻加热体对应设置一个侧部测温孔；

所述保温结构还包括设置在坩埚顶部的保温顶壁，所述保温顶壁设置顶部测温孔。

6.根据权利要求5所述的制备装置，其特征在于，所述侧部测温孔的孔径不大于20mm，所述顶部测温孔的孔径不大于70mm。

7.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述加热单元还包括测温器组和控制器，所述测温器组包括分别与所述电阻加热体组和感应加热线圈对应设置的多个测温器；所述控制器比较所述测温器的测试温度值与已储存的设定温度值，以控制所述电阻加热体组中的电阻加热体和、感应加热线圈的加热功率。

8.根据权利要求7所述的制备装置，其特征在于，所述电阻加热体设为围绕所述上部坩埚的环状结构，所述加热单元包括沿所述上部坩埚轴向排布的多个电阻加热体。

9.根据权利要求8所述的制备装置，其特征在于，所述控制器分别独立控制所述电阻加热体和所述感应加热线圈的加热功率。

10.根据权利要求1-3或5-9中任一项所述的碳化硅单晶的制备装置，其特征在于，其还包括装料桶和旋转升降单元；

所述装料桶包括桶身和开口部，所述桶身设置在所述下部坩埚内，所述桶身与所述下部坩埚之间形成隔离空腔，所述开口部与所述上部坩埚转动连接；所述装料桶和所述上部坩埚形成物理气相传输法制备碳化硅单晶的生长腔，所述生长腔包括气相传输区和所述装料桶内的原料区；

所述旋转升降单元驱动所述装料桶相对于所述上部坩埚旋转升降。

11.根据权利要求4所述的碳化硅单晶的制备装置，其特征在于，其还包括旋转升降单元；

所述旋转升降单元驱动所述装料桶相对于所述上部坩埚旋转升降。