[实用新型]一种MWT太阳电池背电场结构有效
| 申请号： | 201921844807.8 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN211238266U | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 黎剑骑;孙涌涛;许成德;王富强;楼诚侃 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mwt 太阳电池 电场 结构 | ||
1.一种MWT太阳电池背电场结构，包括硅片(1)，所述硅片(1)上表面设有PN结(2)，硅片(1)表面覆盖二氧化硅膜(3)，硅片(1)表面依次电镀三氧化二铝膜(7)和氮化硅膜，硅片(1)上设有贯穿孔电极，硅片(1)正面设有正电极银栅线(5)，背面设有背场，其特征在于，所述背场包括全铝背场(9)和铝栅线背场(91)。
2.根据权利要求1所述的一种MWT太阳电池背电场结构，其特征在于，所述氮化硅膜包括正面氮化硅膜(4)和背面氮化硅膜(8)，硅片(1)正面镀正面氮化硅膜(4)，硅片(1)背面镀背面氮化硅膜(8)。
3.根据权利要求2所述的一种MWT太阳电池背电场结构，其特征在于，所述硅片(1)正面镀正面氮化硅膜(4)的厚度为75nm，折射率为1.9-2.2，背面镀三氧化二铝膜(7)的厚度为2nm，背面镀背面氮化硅膜(8)的厚度为170nm。
4.根据权利要求1所述的一种MWT太阳电池背电场结构，其特征在于，所述贯穿孔数量为20个-50个，硅片正面孔径120um-360um，硅片背面孔径100um-260um。
5.根据权利要求1所述的一种MWT太阳电池背电场结构，其特征在于，所述铝栅线背场(91)利用激光在硅片(1)背面刻线，将硅片(1)表面镀的部分三氧化二铝膜(7)与氮化硅膜(8)层打穿露出硅基体，形成由均匀孔径组成的激光开孔线。
6.根据权利要求5所述的一种MWT太阳电池背电场结构，其特征在于，所述激光开孔的孔径为20um-50um，背面激光开槽总线数为150根-250根线。
7.根据权利要求1所述的一种MWT太阳电池背电场结构，其特征在于，所述铝栅线背场(91)与贯穿孔电极之间设有贯穿孔隔离槽(10)，贯穿孔隔离槽(10) 外3mm-7mm以内的开槽线数为4根-10根，线间距为0.5mm-0.9mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
