[实用新型]一种具有长焦深的冷中子聚焦波带片有效
申请号: | 201921845318.4 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN210924010U | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 张小东;张琦;陈刚 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;G21K1/06 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;文永明 |
地址: | 102206 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 焦深 中子 聚焦 波带片 | ||
1.一种具有长焦深的冷中子聚焦波带片,其特征在于,所述波带片为振幅型冷中子波带片或相位型冷中子波带片;振幅型冷中子波带片将一组相邻的透中子半波带和不透中子半波带作为一个波带;相位型冷中子波带片将一组相邻的不改变相位的半波带和改变相位的半波带作为一个波带;相邻波带间的波带面积线性增加或线性减少;
焦深为n为波带序数,λ为冷中子波长,Δs为相邻波带面积改变量。
2.根据权利要求1所述的具有长焦深的冷中子聚焦波带片,其特征在于,当所述波带片为振幅型中子波带片时,波带片中心位置的半波带为透中子半波带或不透中子半波带。
3.根据权利要求1所述的具有长焦深的冷中子聚焦波带片,其特征在于,所述不透中子半波带所用材料为Gd。
4.根据权利要求3所述的具有长焦深的冷中子聚焦波带片,其特征在于,所述不透中子半波带厚度范围为0.7微米到6微米。
5.根据权利要求1所述的具有长焦深的冷中子聚焦波带片,其特征在于,所述改变相位的透中子半波带材料为Ni。
6.根据权利要求5所述的具有长焦深的冷中子聚焦波带片,其特征在于,所述改变相位的透中子半波带厚度范围为1.2849微米到12.849微米。
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