[实用新型]显示基板和显示装置有效
申请号: | 201921848044.4 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN210245497U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 尚庭华;周洋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括显示区域和挖槽区域,所述挖槽区域和所述显示区域共同组成封闭图形,其中,所述挖槽区域位于所述封闭图形的边缘位置;
所述显示区域包括靠近所述挖槽区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域;
所述显示基板包括设置在所述第一区域内的低电平信号线,所述低电平信号线用于接收预设信号并与所述第一区域内的走线形成电容,以增加所述走线的负载电容。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述走线为位于所述第一区域内的栅线或者位于所述第一区域内的复位线。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述走线在衬底基板上的正投影与所述低电平信号线在所述衬底基板上的正投影部分重合。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述低电平信号线在列方向上的宽度大于所述第一区域内的走线在列方向上的宽度之和。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,显示基板包括从衬底基板至封装层的方向依次设置的多晶硅层、走线层、第一绝缘层和低电平信号线,其中,所述第一绝缘层包括位于所述低电平信号线和所述走线层之间的第一部分、以及位于所述走线层中相邻两根走线之间的第二部分。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,在所述多晶硅层和所述走线层之间还设有第二绝缘层,在所述显示基板中开设贯穿所述第一绝缘层的第二部分和所述第二绝缘层的过孔,所述低电平信号线通过所述过孔与所述多晶硅层连接。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述挖槽区域的外轮廓为四边形、三角形或圆形。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述挖槽区域的外轮廓为等腰梯形,所述等腰梯形的第一底边位于所述封闭图形的边缘,所述第一底边的长度大于第二底边的长度。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,自所述挖槽区域的第一底边向第二底边的方向依次设有第一行子像素和第二行子像素,所述第一行子像素的显示亮度大于所述第二行子像素的显示亮度,其中,所述挖槽区域均位于所述第一行子像素所在的直线上和所述第二行子像素所在的直线上。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一区域内部未设置子像素,所述第二区域内部排布有子像素。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-10中任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的