[实用新型]IGBT模块

说明书

本实用新型所涉及的IGBT模块包括底座、内部电路和接线端子，底座具有孔部，在该孔部中嵌入有热电偶，且热电偶的辅助端子从IGBT模块的正面突出。由此，能利用热电偶对IGBT模块的Tc温度进行观察，并能实现更为精确、安全、迅速的温度保护。

技术领域

本实用新型涉及IGBT模块，尤其涉及能对Tc温度(Case Temperature：外壳温度)进行观察的IGBT模块。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管) 综合了GTR(电力晶体管)和MOSFET(电力场效应晶体管)的优点，是常用的典型全控型电力电子器件。随着技术的进步以及用户对供电可靠性要求的不断提高，对IGBT模块等功率半导体器件的温度监测提出了更为严格的要求。

专利文献1(CN109855758A)中公开了一种用于IGBT模块的温度检测电路，包括：热敏电阻(NTC)，其安装在IGBT模块内部；模拟量-脉冲量转换芯片，其与热敏电阻连接，用于将热敏电阻的阻值变化的模拟量转换成脉冲宽度变化的数字量；FPGA，其与模拟量-脉冲量转换芯片连接，用于检测脉冲宽度或者占空比来算出NTC电阻值，之后通过查表法读出与之对应的 IGBT模块结温温度。由此，能高精度地测量出IGBT模块的温度。

另外，在专利文献2(CN106771946A)中公开了如下IGBT模块内部芯片结温测试方法：首先将IGBT芯片焊接在覆铜的陶瓷基板上，然后在IGBT芯片旁设定距离处焊接一个二极管芯片，二极管芯片的上表面是阳极，下表面是阴极；通过铝线键合方式，将二极管芯片的两个电极引出到陶瓷基板的覆铜层上，然后覆铜层再通过铝线键合方式引出到外接的二极管芯片阳极端子和阴极端子上；通过测量电路获得所述二极管芯片阳极端子和阴极端子之间的管压降，根据二极管的正向导通压降值和温度的线性关系计算出二极管芯片的温度，进而表征所述IGBT芯片的温度。由此，可精准快速地测量IGBT模块的温度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：CN109855758A

专利文献2：CN106771946A

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

专利文献1中，使用安装在IGBT模块内部(即、内置于IGBT模块)的NTC 温度传感器(即、热敏电阻)来监视温度。然而，由于NTC的反应速度较慢，因此在温度瞬间变高的情况下无法及时地进行保护，即、无法进行瞬时的温度保护。

专利文献2中，将二极管(温度二极管)内置于IGBT模块，并利用二极管的正向压降与温度的关系来监视温度。然而，由于其ESD(Electro-Static discharge：静电释放)耐量较弱，因此对IGBT模块的使用环境有着较为严格的要求。

本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种IGBT 模块，能对Tc温度进行观察，并能实现更为精确、安全、迅速的温度保护。

解决技术问题所采用的技术方案

本实用新型所涉及的IGBT模块包括底座、内部电路和接线端子，底座具有孔部，在该孔部中嵌入有热电偶，且热电偶的辅助端子从IGBT模块的正面突出。

实用新型效果

根据本实用新型的IGBT模块，能对Tc温度进行观察，并能实现更为精确、安全、迅速的温度保护。

附图说明

图1是示出实施方式1所涉及的IGBT模块的立体图。

图2是实施方式1所涉及的IGBT模块的仰视图。

图3是实施方式2所涉及的IGBT模块的仰视图。