[实用新型]一种用于BBU的防电流反灌的电路

权利要求书

1.一种用于BBU的防电流反灌的电路，其特征在于，包括BBU模块和PSU模块；

PSU模块连接有自升压模块和NMOS控制开关模块，自升压模块还与NMOS控制开关模块连接，NMOS控制开关模块还与BBU模块连接；

NMOS控制开关模块包括放电开关一端、放电开关二端、高压端以及控制输入端；

NMOS控制开关模块的放电开关一端与PSU模块连接，NMOS控制开关模块的高压端与自升压模块连接，NMOS控制开关模块的放电开关二端与BBU模块连接；

NMOS控制开关模块的放电开关一端还连接有采样模块；

采样模块包括采样一端、采样二端以及输出端；

采样模块的采样一端与NMOS控制开关模块的放电开关一端连接，采样模块的采样二端与NMOS控制开关模块的放电开关二端连接；

采样模块的输出端连接有跟随模块，跟随模块连接有比较模块；

比较模块包括输入端、基准端和输出端；

比较模块的输入端与跟随模块连接，比较模块的基准端连接有基准电压模块，比较模块的输出端与NMOS控制开关模块的控制输入端连接。

2.如权利要求1所述的用于BBU的防电流反灌的电路，其特征在于，NMOS控制开关模块包括第一NMOS开关管U1、第二NMOS开关管U2以及NMOS驱动管U3；

第一NMOS开关管U1包括第一连通端、第一开关端、第二开关端、第三开关端以及驱动端，第二NMOS开关管U2与第一NMOS开关管U1结构相同；

NMOS驱动管U3包括受控端、控制端以及接地端；

第一NMOS开关管U1的第一连通端与NMOS控制开关模块的放电开关一端以及PSU模块连接；

第一NMOS开关管U1的第一开关端、第二开关端、第三开关端、第二NMOS开关管U2的第一开关端、第二开关端以及第三开关端相互连接；

第二NMOS开关管U2的第一连通端与NMOS控制开关模块的放电开关二端以及BBU模块连接；

第一NMOS开关管U1的驱动端与第二NMOS开关管U2的驱动端以及NMOS驱动管U3的控制端连接，且第一NMOS开关管U1的驱动端连接有第一电阻R1，第一电阻R1的另一端与NMOS控制开关模块的高压端以及自升压模块连接；

NMOS驱动管U3的受控端连接有第二电阻R2，且NMOS驱动管U3的受控端与NMOS控制开关模块的控制输入端连接；

NMOS驱动管U3的接地端与第二电阻R2的另一端连接，并接地。

3.如权利要求1所述的用于BBU的防电流反灌的电路，其特征在于，第一NMOS开关管U1以及第二NMOS开关管U2均采用信号CSD 17573Q5B型号的NMOS开关管；

NMOS驱动管U3采用型号为2N70020J型号的NMOS驱动管。

4.如权利要求1所述的用于BBU的防电流反灌的电路，其特征在于，自升压模块包括自升压芯片U4、输入端以及输出端；

自升压芯片U4包括输入端、控制端、开关端、散热端、接地端、误差放大输出端以及反馈端；

自升压芯片U4的输入端与控制端连接，并连接有自升压模块的输入端以及第一电感L1；

自升压模块的输入端与PSU模块连接；

第一电感L1的另一端连接有第一二极管D1，且第一电感L1的另一端与自升压芯片U4的开关端连接；

自升压芯片U4的接地端与散热端连接，并接地；

自升压芯片U4的误差放大输出端连接有第一电容C1，第一电容C1的另一端连接有第三电阻R3，第三电阻R3的另一端接地；

自升压芯片U4的反馈端连接有第四电阻R4和第五电阻R5；

第一二极管D1的正极与第一电感L1的另一端连接，第一二极管D1的负极与第四电阻R4的另一端连接，并连接有第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4以及自升压模块的输出端；

第二电容C2的正极与第一二极管D1的负极连接，第二电容C2的负极与第五电阻R5的另一端、第三电容C3的另一端以及第四电容C4的另一端连接，并接地；

自升压模块的输出端与NMOS控制开关模块连接。