[实用新型]一种沟槽栅型功率芯片

权利要求书

1.一种沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述沟槽栅型功率芯片包括一个或多个元胞，所述元胞包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中包括沟槽、分别位于所述沟槽的两侧的发射极区和非导通电流侧衬底区域；

热氧化层，所述热氧化层形成于所述沟槽的内壁以及所述非导通电流侧衬底区域的表面；

多晶硅，所述多晶硅形成于所述沟槽的内壁上的热氧化层上和所述沟槽外的热氧化层上，所述沟槽内的多晶硅构成沟槽栅；

隔离氧化层，所述隔离氧化层形成在所述沟槽外的多晶硅上方并向下延伸形成延伸部以使所述沟槽外的多晶硅中断；

金属层，所述金属层覆盖所述隔离氧化层并连接至所述发射极区。

2.根据权利要求1所述的沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述延伸部将所述沟槽外的多晶硅分隔为与所述沟槽内的多晶硅相连的第一部分多晶硅和不与所述沟槽内的多晶硅相连的第二部分多晶硅，所述金属层将所述发射极区与所述第二部分多晶硅等电位连接。

3.根据权利要求2所述的沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述金属层穿过形成在所述隔离氧化层内的接触孔延伸至所述第二部分多晶硅，从而将所述发射极区与所述第二部分多晶硅等电位连接。

4.根据权利要求1所述的沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述金属层将所述发射极区与所述非导通电流侧衬底区域等电位连接。

5.根据权利要求4所述的沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述延伸部进一步延伸至所述非导通电流侧衬底区域以中断所述热氧化层，所述金属层通过形成在所述延伸部内的接触孔延伸至所述非导通电流侧衬底区域，以将所述发射极区与所述非导通电流侧衬底区域等电位连接。

6.根据权利要求2所述的沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述第二部分多晶硅下方的半导体衬底中形成有一个或多个第二沟槽，所述第二部分多晶硅和所述热氧化层延伸至所述第二沟槽内以形成一个或多个假栅。

7.根据权利要求6所述的沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述延伸部进一步向下延伸以中断所述热氧化层。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述发射极区包括掺杂阱区和所述掺杂阱区内形成的沟道区，所述半导体衬底和所述沟道区具有第一导电类型，所述掺杂阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

9.根据权利要求8所述的沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述半导体衬底在所述非导通电流侧衬底区域中包括深结区，所述深结区具有第二导电类型。

10.根据权利要求1所述的沟槽栅型功率芯片，其特征在于，所述半导体衬底由单晶硅或氮化硅制成。