[实用新型]超声波液位传感器的过压保护电路有效
| 申请号： | 201921860104.4 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN211046454U | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 苏巧松 | 申请（专利权）人： | 厦门伍迪电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20;H02H9/04 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 吴圳添 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超声波 传感器 保护 电路 | ||
1.一种超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，包括：
控制三极管，所述控制三极管的输入端连接电压输入端，所述控制三极管的控制端通过第一电阻连接所述电压输入端，所述控制三极管的输出端通过第二电阻连接参考地；
第一功率开关MOS管，所述第一功率开关MOS管的输入端连接所述控制三极管的输入端，所述第一功率开关MOS管的控制端连接所述控制三极管的输出端，所述第一功率开关MOS管的输出端作为电压输出端；
第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阴极连接所述控制三极管的控制端，所述第一稳压二极管的阳极通过第三电阻连接参考地；
第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的阴极连接所述控制三极管的输入端，所述第二稳压二极管的阳极连接所述控制三极管的输出端。
2.如权利要求1所述的超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，所述控制三极管为PNP三极管，所述PNP三极管的发射极作为所述控制三极管的输入端，所述PNP三极管的基极作为所述控制三极管的控制端，所述PNP三极管的集电极作为所述控制三极管的输出端。
3.如权利要求2所述的超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，所述第一功率开关MOS管为第一增强型PMOS管；所述第一增强型PMOS管的漏极作为所述第一功率开关MOS管的输入端，所述第一增强型PMOS管的栅极作为所述第一功率开关MOS管的控制端，所述第一增强型PMOS管的源极作为所述第一功率开关MOS管的输出端。
4.如权利要求3所述的超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，所述第一稳压二极管的稳压值为33V，所述第二稳压二极管的稳压值为9.1V。
5.如权利要求4所述的超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，所述控制三极管的输入端与所述电压输入端之间具有保险丝，所述保险丝位于所述第一电阻和所述电压输入端之间。
6.如权利要求5所述的超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，所述保险丝和所述电压输入端之间具有第一保护二极管。
7.如权利要求6所述的超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，所述第一保护二极管为肖特基二极管。
8.如权利要求7所述的超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，还包括第二功率开关MOS管，所述第二功率开关MOS管的输入端连接所述第一功率开关MOS管的输入端；所述第二功率开关MOS管的控制端连接所述第一功率开关MOS管的控制端；所述第二功率开关MOS管的输出端连接所述第一功率开关MOS管的输出端；
所述第二功率开关MOS管为第二增强型PMOS管；所述第二增强型PMOS管的漏极作为所述第二功率开关MOS管的输入端，所述第二增强型PMOS管的栅极作为所述第二功率开关MOS管的控制端，所述第二增强型PMOS管的源极作为所述第二功率开关MOS管的输出端。
9.如权利要求8所述的超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，还包括第二保护二极管，所述第二保护二极管的阴极连接在所述保险丝和所述第一功率开关MOS管的输入端之间，所述第二保护二极管的阳极连接参考地。
10.如权利要求9所述的超声波液位传感器的过压保护电路，其特征在于，所述第二保护二极管为瞬态电压抑制二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门伍迪电子科技有限公司，未经厦门伍迪电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921860104.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：皮革冲孔机6冲杆可旋转弹簧复位机构
- 下一篇：一种灌装机用安全封盖头
