[实用新型]一种半球形凹槽状的压电材料结构有效
| 申请号： | 201921861087.6 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN210464749U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 赵家莹 | 申请（专利权）人： | 保定泰达电力科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16 |
| 代理公司： | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 张铁兰 |
| 地址： | 071000 河北省保定*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半球形 凹槽 压电 材料 结构 | ||
1.一种半球形凹槽状的压电材料结构，包括呈半球状的压电陶瓷主体(1)，其特征在于：所述压电陶瓷主体(1)的顶端开设有通孔(1a)，所述压电陶瓷主体(1)的顶端开设有呈平面状的顶部平台(12)，所述压电陶瓷主体(1)的底端边缘处一体成型有凸沿(13)，所述凸沿(13)的底端呈平面状，所述压电陶瓷主体(1)的底部外表面处开设有若干呈环形等间距排布的通槽(1b)，所述压电陶瓷主体(1)的底部设置有底搭片(2)，所述底搭片(2)上开设有用于搭接所述压电陶瓷主体(1)的环槽(2a)，所述压电陶瓷主体(1)的顶端设置有顶搭片(3)，所述顶搭片(3)的底面和所述顶部平台(12)的顶面相贴合。
2.根据权利要求1所述的半球形凹槽状的压电材料结构，其特征在于：所述压电陶瓷主体(1)呈空壳状结构，所述压电陶瓷主体(1)的内外表面上均设置有电极镀层(11)。
3.根据权利要求1所述的半球形凹槽状的压电材料结构，其特征在于：所述通槽(1b)的底端将所述压电陶瓷主体(1)的底端贯通。
4.根据权利要求1所述的半球形凹槽状的压电材料结构，其特征在于：所述环槽(2a)的内径小于所述压电陶瓷主体(1)的内径，所述环槽(2a)的外径大于所述凸沿(13)的外径。
5.根据权利要求1所述的半球形凹槽状的压电材料结构，其特征在于：所述顶搭片(3)的底端一体成型有凸台(31)，所述凸台(31)伸入到所述通孔(1a)内。
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