[实用新型]生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器有效
| 申请号： | 201921861266.X | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN210805800U | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李国强;郑昱林;王文樑;唐鑫;陈胜;杨昱辉 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 石墨 烯基板上 gan 纳米 阵列 柔性 紫外 探测器 | ||
1.生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，自下至上依次包括柔性衬底（6）、所述柔性衬底上的一对叉指电极（5）、所述叉指电极上方的石墨烯层（2）以及生长在石墨烯层（2）上面的GaN纳米柱阵列（3）。
2.根据权利要求1所述的生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，所述GaN纳米柱阵列中GaN纳米柱的长度为300~380 nm。
3.根据权利要求1所述的生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，所述GaN纳米柱阵列中GaN纳米柱的直径为60~80 nm。
4.根据权利要求1所述的生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，所述GaN纳米柱的密度为5.0×109 ~ 9.0×109 /cm2。
5.根据权利要求1所述的生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，所述柔性衬底为PET、PDMS、或ITO材料。
6.根据权利要求1所述的生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，所述叉指电极为一层Au金属。
7.根据权利要求1所述的生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，所述叉指电极的厚度为100~120 nm。
8.根据权利要求1所述的生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，所述叉指电极的长度为280~300 μm，宽度为5~15 μm。
9.根据权利要求1所述的生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，所述叉指电极中电极间距为5~20 μm，对数为20~24对。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
