[实用新型]超声波液位传感器的分体式放大检波电路

权利要求书

1.一种超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，包括：

第一放大单元，所述第一放大单元的输入端连接信号输入端；

第二放大单元，所述第二放大单元的输入端连接所述第一放大单元的输出端；

第三放大单元，所述第三放大单元的输入端连接所述第二放大单元的输出端；

检波二极管，所述检波二极管的阳极连接所述第三放大单元的输出端，所述检波二极管的阴极连接信号输出端；

负载电容，所述负载电容的第一端连接所述检波二极管的阴极，所述负载电容的第二端接参考地；

负载电阻，所述负载电阻的第一端连接所述检波二极管的阴极，所述负载电阻的第二端接参考地；

保护二极管，所述保护二极管的阴极连接所述检波二极管的阳极，所述保护二极管的阳极接参考地，所述第三放大单元的输出端连接在所述保护二极管的阴极与所述检波二极管的阳极之间。

2.如权利要求1所述的超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，所述第一放大单元为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极连接所述信号输入端，所述第二放大单元的输入端连接所述NMOS晶体管的漏极。

3.如权利要求2所述的超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，所述第二放大单元为PNP三极管，所述PNP三极管的基极连接所述NMOS晶体管的漏极，所述第三放大单元的输入端连接所述PNP三极管的集电极。

4.如权利要求3所述的超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，所述第三放大单元为NPN三极管，所述NPN三极管的基极连接所述PNP三极管的集电极；所述检波二极管的阳极连接所述NPN三极管的集电极。

5.如权利要求4所述的超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，还包括第一隔直电容，所述第二放大单元的输出端通过所述第一隔直电容连接所述第三放大单元的输入端。

6.如权利要求5所述的超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，还包括第二隔直电容，所述第二隔直电容连接在所述第三放大单元的输出端与所述检波二极管的阳极之间。

7.如权利要求6所述的超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，还包括第一零欧电阻和第二零欧电阻，所述第一零欧电阻和所述第二零欧电阻串联连接在所述检波二极管的阴极与所述信号输出端之间。

8.如权利要求7所述的超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，还包括供电电源端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容；所述第一电阻的第一端连接所述NMOS晶体管的栅极，所述第一电阻的第二端接参考地；所述第二电阻的第一端连接所述供电电源端；所述第三电阻的第一端连接所述NMOS晶体管的漏极，所述第三电阻的第二端连接所述第二电阻的第二端；所述第四电阻的第一端连接所述PNP三极管的发射极，所述第四电阻的第二端连接所述第二电阻的第二端；所述第五电阻的第一端连接所述NPN三极管的集电极，所述第五电阻的第二端连接所述第二电阻的第二端；所述第一电容的第一端连接所述供电电源端，所述第一电容的第二端接参考地；所述第二电容的第一端连接所述第二电阻的第二端，所述第二电容的第二端接参考地；所述第三电容的第一端连接所述第二电阻的第二端，所述第三电容的第二端接参考地；所述第四电容与所述第四电阻并联。

9.如权利要求8所述的超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，还包括稳压二极管，所述稳压二极管的阴极连接所述第二电阻的第二端，所述稳压二极管的阳极接参考地。

10.如权利要求9所述的超声波液位传感器的分体式放大检波电路，其特征在于，还包括第五电容、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻；所述第五电容的第一端连接所述NMOS晶体管的源极，所述第五电容的第二端接参考地；所述第六电阻的第一端连接所述NMOS晶体管的源极，所述第六电阻的第二端接参考地；所述第七电阻的第一端连接所述NMOS晶体管的源极，所述第七电阻的第二端连接所述PNP三极管的集电极；所述第八电阻的第一端连接所述NPN三极管的集电极，所述第八电阻的第二端连接所述NPN三极管的基极；所述第九电阻的第一端连接所述NPN三极管的基极，所述述第九电阻的第二端接参考地。