[实用新型]一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器有效

专利信息
申请号: 201921867528.3 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN210981571U 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 张洪磊 申请(专利权)人: 成都聚源杰能科技有限公司
主分类号: G01K7/18 分类号: G01K7/18
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 刘文娟
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 pt200 温度传感器 芯片
【权利要求书】:

1.PT200温度传感器芯片,包括陶瓷基底(1)和薄膜铂层(2),其特征在于:薄膜铂层(2)通过激光雕刻成型,薄膜铂层(2)的两端连接有导线(3)。

2.根据权利要求1所述的PT200温度传感器芯片,其特征在于:所述薄膜铂层(2)的重量为0.008g。

3.根据权利要求1所述的PT200温度传感器芯片,其特征在于:所述陶瓷基底(1)呈正方形,边长为1.5mm。

4.采用如权利要求1、2或3所述PT200温度传感器芯片的PT200温度传感器,包括套管(4)、PT200温度传感器芯片(5)和导热填充层(6),其特征在于:所述套管(4)为整体式陶瓷套管,所述PT200温度传感器芯片(5)位于套管(4)的底部,且PT200温度传感器芯片(5)与套管(4)支架具有间距,所述导热填充层(6)充满套管(4)的内部空间且包覆PT200温度传感器芯片(5);所述PT200温度传感器芯片(5)包括陶瓷基底(1)和薄膜铂层(2),薄膜铂层(2)通过激光雕刻成型,薄膜铂层(2)的两端连接有导线(3),每根导线(3)连接有金属针(7),所述金属针(7)沿套管(4)轴向延伸至套管(4)之外。

5.根据权利要求4所述的PT200温度传感器芯片,其特征在于:所述套管(4)的底面为向外凸出的曲面。

6.根据权利要求4所述的PT200温度传感器芯片,其特征在于:所述金属针(7)为直径0.3mm的圆柱针。

7.根据权利要求4所述的PT200温度传感器芯片,其特征在于:所述套管(4)的外径为2.6mm,高度为8mm。

8.根据权利要求4所述的PT200温度传感器芯片,其特征在于:所述金属针(7)位于套管(4)之外的部分的长度为4mm。

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