[实用新型]一种同心环型大面积硅漂移探测器有效
| 申请号： | 201921868528.5 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN210805786U | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李正;母恒恒;刘曼文 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/08;H01L31/18;G01T1/24;G06F30/392 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 陈炳萍 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 同心 大面积 漂移 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用ALD内分压的同心环型大面积硅漂移探测器，其特征在于，所述同心环型大面积硅漂移探测器包括：阳极电极、正面阴极电极、正面分压电阻、正面保护环、反面阴极电极、反面分压电阻、正反面保护环、基体、上表面的漂浮电极、下表面的漂浮电极、上表面二氧化硅层、下表面二氧化硅层。
2.如权利要求1所述利用ALD内分压的同心环型大面积硅漂移探测器，其特征在于，所述阳极电极为重掺杂的N型半导体硅。
3.如权利要求1所述利用ALD内分压的同心环型大面积硅漂移探测器，其特征在于，所述正面阴极电极为重掺杂的P型半导体硅；
所述反面阴极电极为重掺杂的P型半导体硅。
4.一种应用权利要求1～3任意一项所述利用ALD内分压的同心环型大面积硅漂移探测器的X射线探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
