[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201921868922.9 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN210575831U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 杨康 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
待刻蚀层；
牺牲层，形成于所述待刻蚀层的表面，所述牺牲层具有开口，所述开口暴露出部分所述待刻蚀层的表面；
保护层，形成于所述牺牲层的侧壁表面；
侧墙材料层，形成于所述保护层的表面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述待刻蚀层包括：刻蚀目标层和位于所述刻蚀目标层表面的硬掩模层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的厚度介于1nm～5nm之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层包括非晶硅保护层或氮化物保护层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述牺牲层包括碳牺牲层或光刻胶牺牲层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，具有开口的所述牺牲层的最小特征尺寸介于10nm～30nm之间。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述侧墙材料层包括氧化物侧墙材料层或氮化物侧墙材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
