[实用新型]晶圆处理装置有效
| 申请号： | 201921878802.7 | 申请日： | 2019-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN210607197U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 董佳仁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：
支撑台，具有用于承载晶圆的承载面；
喷嘴，位于所述支撑台上方，且仅具有气体喷口，所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动，所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体，以除去所述晶圆表面残留的液体。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气体喷口呈长条形，用于竖直向下喷射气体，且所述气体喷口的长度大于所述晶圆的直径。
3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气体喷口内设置有风刀，使得所述气体喷口向所述晶圆表面倾斜喷射气体。
4.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气体喷口的宽度为5mm～15mm。
5.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述喷嘴还包括：
本体部，所述气体喷口位于所述本体部的底端，所述本体部的顶端与用于存储所述气体的气源连通；
所述本体部呈长条形，且所述气体喷口沿所述本体部的长度方向延伸。
6.根据权利要求5所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述本体部的长度为305mm～310mm、宽度为70mm～90mm、高度为60mm～80mm。
7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述本体部的长度为310mm，所述气体喷口的长度为300mm。
8.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气体喷口喷射的所述气体的压力为5Kpa～11Kpa。
9.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括：
驱动器，连接所述喷嘴，用于驱动所述喷嘴，使所述气体喷口的中点沿平行于所述承载面上承载的所述晶圆的直径方向往复运动，并调整所述喷嘴的运动速率和所述气体喷口喷出的气体压力。
10.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气体为氮气或者惰性气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
