[实用新型]激光退火系统有效
申请号: | 201921880295.0 | 申请日: | 2019-11-04 |
公开(公告)号: | CN210722984U | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 刘效岩;张程鹏;王建;程闻兴 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/268;H01L21/324 |
代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 吕艳英 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 系统 | ||
1.一种激光退火系统,其特征在于,包括:固定的平台(1)、嵌入在所述平台(1)内的可密封的工艺腔室(2),以及相对于所述平台(1)可运动的光学系统;所述工艺腔室的腔室空间里只设置有吸附卡盘组件。
2.根据权利要求1所述的激光退火系统,其特征在于,所述工艺腔室(2)从上至下依次包括:位于工艺腔室顶部的激光可透过的密封片材(7),位于所述密封片材(7)下方的顶部安装部件(3),与所述顶部安装部件(3)配合的底部安装部件(4),固定在所述底部安装部件(4)上的吸附卡盘组件。
3.根据权利要求1或2所述的激光退火系统,其特征在于,所述吸附卡盘组件包括与所述底部安装部件(4)邻接的吸附卡盘(5),设置在所述吸附卡盘(5)上表面的吸附卡盘保护环(6),以及设置在所述吸附卡盘保护环(6)上方间隔一定高度的晶圆保护环。
4.根据权利要求2所述的激光退火系统,其特征在于,所述顶部安装部件(3)的上表面在围绕所述密封片材(7)的周围设置有出气孔(10)。
5.根据权利要求2所述的激光退火系统,其特征在于,所述底部安装部件(4)设置有气体入口(18),连通所述气体入口(18)和所述工艺腔室(2)内腔的过渡区域(19),以及排气口(20),用于保持所述工艺腔室(2)内的无氧环境。
6.根据权利要求1所述的激光退火系统,其特征在于,所述工艺腔室(2)相对于所述平台(1)的外侧设置有门阀(31)。
7.根据权利要求6所述的激光退火系统,其特征在于,所述门阀(31)上设置有输送待处理样片的开口,并且在所述开口处设置有气体开孔(29,30)。
8.根据权利要求6所述的激光退火系统,其特征在于,所述门阀(31)内侧设置有进气管(27,28)。
9.根据权利要求2所述的激光退火系统,其特征在于,所述密封片材(7)真空吸附在所述工艺腔室(2)的顶部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造