[实用新型]基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器

权利要求书

1.一种基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器，其特征在于：所述电源控制器包括端口Vcc、端口Vin、端口Vss和端口Out，还包括NPN型BJT管Q1、NPN型BJT管Q2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、二极管D1、二极管D2、受控电流源1、受控电流源2和输出单元，所述输出单元包括端口a和端口b，电阻R1的一端同时与电阻R2的一端、电阻R3的一端以及端口Vcc相连，电阻R1的另一端同时与NPN型BJT管Q1的集电极、电容C1的一端以及输出单元的端口a相连，NPN型BJT管Q1的基极同时与二极管D1的阴极以及电阻R4的一端相连，电阻R3的另一端同时与NPN型BJT管Q2的集电极以及电容C2的一端相连，NPN型BJT管Q2的基极同时与电阻R5的一端以及二极管D2的阴极相连，电阻R2的另一端同时与受控电流源1的第一端口、电容C1的另一端口以及电阻R5的另一端口相连，受控电流源2的第一端口与端口Vin相连，受控电流源2的第二端口同时与电阻R4的另一端以及电容C2的另一端相连，NPN型BJT管Q1的发射极同时与受控电流源1的第二端口、二极管D1的阴极、二极管D2的阴极、NPN型BJT管Q2的发射极以及端口Vss相连，输出单元的端口b与端口Out相连；

流入受控电流源1第一端口的电流is1影响NPN型BJT管Q1导通时电容C1的充电速度以及NPN型BJT管Q2导通时电容C1的放电速度，进而影响端口a的控制信号；

流出受控电流源2第二端口的电流is2影响NPN型BJT管Q2导通时电容C2的充电速度以及Q1导通时C2的放电速度，进而影响端口a的控制信号；

所述输出单元将端口a的控制信号转化为端口b的驱动信号，使所述电源控制器具有驱动功率半导体器件的能力；

所述电源控制器控制电源中功率半导体器件的开关状态，所述电源为所述电源控制器提供必要的电能，所述电源控制器的端口Vcc为主供电口正端，所述电源控制器的端口Vss为主供电口负端，所述电源控制器的端口Out与所述电源中功率半导体器件的控制端口相连，所述电源控制器的端口Vin为受控电流源2的供电端。

2.如权利要求1所述的基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器，其特征在于：由所述电源控制器组成的电源包括功率主电路和以所述电源控制器为核心的控制电路，所述功率主电路是任何包含高压侧功率半导体器件或低压侧功率半导体器件的电力电子电路。

3.如权利要求1所述的基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器，其特征在于：所述受控电流源1还包含端口Control1至端口Controln、NPN型BJT管Qsa1至NPN型BJT管Qsan、稳压管Zsa0、电阻Rsa0和NPN型BJT管Qsa0，n为正整数，稳压管Zsa0的阴极与所述电源控制器的端口Vin相连，稳压管Zsa0的阳极与电阻Rsa0的一端相连，电阻Rsa0的另一端与NPN型BJT管Qsa0的基极相连，所述受控电流源1的端口Controlj与NPN型BJT管Qsaj的基极相连，j的取值范围为1至n，NPN型BJT管Qsa0的集电极以及NPN型BJT管Qsa1的集电极至NPN型BJT管Qsan的集电极均与所述受控电流源1的第一端口相连，NPN型BJT管Qsa0的发射极以及NPN型BJT管Qsa1的发射极至NPN型BJT管Qsan的发射极均与所述受控电流源1的第二端口相连，端口Control1至端口Controln与所述电源中的检测信号相连，检测信号包括电感电流的检测信号、电容电流的检测信号、负载电流的检测信号、电感电压的检测信号、电容电压的检测信号、负载电压的检测信号、输入电压的检测信号至少一种；

或者，所述端口Control1至端口Controln与由可编程器件控制的数模转换器相连，可编程器件是单片机、DSP或FPGA。

4.如权利要求1所述的基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器，其特征在于：所述受控电流源2包括稳压管Zsb1和电阻Rsb1，稳压管Zsb1的阴极与所述受控电流源2的第一端口相连，稳压管Zsb1的阳极与电阻Rsb1的一端相连，电阻Rsb1的另一端与所述受控电流源2的第二端口相连。