[实用新型]具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池有效
申请号: | 201921896257.4 | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN210668422U | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 刘玉申;况亚伟;杨希峰;张树德;洪学鹍;魏青竹;倪志春 | 申请(专利权)人: | 常熟理工学院 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张俊范 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 光栅 阵列 结构 电子 传输 太阳能电池 | ||
1.一种具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,包括透明导电玻璃衬底,所述衬底上设置银纳米光栅周期阵列结构,所述银纳米光栅上制备TiO2薄膜层构成核壳阵列结构作为电子传输层;所述TiO2薄膜上设置钙钛矿吸收层,再在钙钛矿吸收层上设置空穴传输层;所述空穴传输层上设置金属薄膜,由所述衬底和金属薄膜作为导电电极引出光生电荷对外电路供电。
2.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电玻璃衬底为FTO透明玻璃,所述透明导电玻璃衬底厚度为1~10μm,光透过率不小于80%。
3.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述银纳米光栅的周期为50~1000nm,所述银纳米光栅的高度为100~1000nm,所述银纳米光栅周期阵列结构的占空比为0.1~0.8,所述TiO2薄膜厚度为30~100nm。
4.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述银纳米光栅的周期为150~300nm,所述银纳米光栅的高度为100~1000nm,所述银纳米光栅周期阵列结构的占空比为0.4~0.5,所述TiO2薄膜厚度为50~60nm。
5.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿吸收层的最薄处厚度为100~500nm。
6.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层为氧化镍、氧化钨、Spiro-OMeTAD之一,厚度为150~800nm。
7.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述金属薄膜的材料为Au、Ag、Al、Gu、Pt之一,厚度为10~500nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择