[实用新型]一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201921897573.3 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN211182210U | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 曾丹;史波;刘勇强 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘红彬 |
| 地址： | 519070 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 终端 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率半导体器件的终端结构，其特征在于，包括：
衬底和位于所述衬底上的外延层；
位于所述外延层内的耐压环、位于所述外延层内且位于所述耐压环外围的截止环、依次设置于所述耐压环和所述截止环上的介质层、金属层和钝化层，所述耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中，
所述截止环的外侧设有划片槽，所述截止环与所述划片槽之间的部位设有凹陷，所述钝化层伸入所述凹陷内以包覆所述截止环和所述金属层。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的终端结构，其特征在于，所述耐压环包括一个主结和多个分压环。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的终端结构，其特征在于，所述截止环的一端位于所述外延层的顶部，另一端位于所述凹陷的侧面。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件的终端结构，其特征在于，每一个所述耐压环为场限环结构、场限环加场板结构、终结端扩展结构和横向变掺杂结构中的一个。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件的终端结构，其特征在于，所述凹陷的深度为0.1～10μm。
6.一种功率半导体器件，其特征在于，包括多个如权利要求1～5任一项所述的功率半导体器件的终端结构。
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