[实用新型]一种气体输送系统及半导体处理装置

说明书

本实用新型公开了一种气体输送系统及半导体处理装置，包括气体调节装置，气体调节装置的输入端接入处理气体；多个支路气体管路，每一支路气体管路均包括依次连接的支路开关阀、缓冲器、第一气动阀及质量流量控制器，支路开关阀的输入端与气体调节装置的输入端相连，质量流量控制器的输出端连接相应的反应腔。将多个支路气体管路共用同一气体调节装置，能够减少气体输送系统的组成部件而使其结构简单、占用面积小，且降低半导体处理装置的成本；每一支路气体管路中均设置有一缓冲器，起到稳定所在支路气体管路的传输气体的压力的作用，还消除其他支路气体管路在突然关闭或突然开启时造成的传输气体的压力不稳的影响，提高半导体处理装置性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体处理技术领域，更为具体地说，涉及一种气体输送系统及半导体处理装置。

背景技术

用于集成电路的制造的半导体处理工艺中包括有：化学气相沉积工艺、等离子体处理工艺等。其中主要是利用等离子处理工艺实现对半导体基片的处理，所述等离子体处理工艺的原理包括：使用射频功率源驱动等离子体处理装置(例如电感耦合线圈)产生较强的高频交变磁场，使得低压的处理气体被电离产生等离子体。等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，活性粒子可以和待处理半导体基片的表面发生多种物理和化学反应，使得晶圆表面的形貌发生改变，即完成等离子体处理工艺。

在等离子处理工艺中需要向反应腔内通入特定流量、特定气压和特定气体成分的反应气体或者其它辅助气体。而想要获得这些具有特定参数的反应气体或辅助气体需要一个能精确控制气体流量、压力的输送系统连接在气源和反应腔之间。而根据现有的设备厂商提供的设备，为节省占地面积，半导体设备通常为多个反应腔室的簇群，由于反应工艺的需要，每个反应腔内都需要输送多路反应气体，因此，等离子体处理装置中的气体输送系统不仅要流量控制精确，还需要尽量精简、集成，以减小占地面积，同时节约设备成本。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种气体输送系统及半导体处理装置，有效解决现有技术存在的技术问题，提高了半导体处理装置的性能。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

一种气体输送系统，包括：

气体调节装置，所述气体调节装置的输入端接入处理气体，所述气体调节装置用于调节所述处理气体的压力后输出；

以及，多个支路气体管路，每一所述支路气体管路均包括依次连接的支路开关阀、缓冲器、第一气动阀及质量流量控制器，其中，所述支路开关阀的输入端与所述气体调节装置的输入端相连，所述质量流量控制器的输出端连接相应的反应腔。可选的，所述气体调节装置包括依次连接的主开关阀和调压阀，其中，所述主开关阀的输入端接入所述处理气体，所述调压阀的输出端连接所述支路开关阀的输入端。

可选的，所述气体调节装置还包括连接于所述调压阀与所述支路开关阀之间的过滤器。

可选的，所述气体调节装置还包括连接于所述调压阀与所述支路开关阀之间的压力表。

可选的，所述缓冲器包括依次连接的输入管道、缓冲腔体和输出管道，其中，在垂直气体流向的方向上，所述缓冲腔体的截面宽度大于所述输入管道及所述输出管道的截面宽度。

可选的，所述缓冲器还包括：

设置于所述缓冲腔体内的平衡板；

固定于所述平衡板朝向所述输出管道一侧、且与所述输出管道的端口相对应的提升阀；

以及，连接于所述缓冲腔体的内壁与所述平衡板朝向所述输出管道一侧板面的第一弹簧组件，及连接于所述缓冲腔体的内壁与所述平衡板朝向所述输入管道一侧板面的第二弹簧组件。

可选的，所述平衡板在垂直气体流向的方向上的侧壁还设置有密封圈，且所述密封圈与所述缓冲腔体的内壁接触；