[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201921908938.8 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN210575838U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底内具有焊盘；
第一聚合物层，位于所述基底上；所述第一聚合物的上表面呈凹凸不平状；
开口，沿厚度方向贯穿所述第一聚合物层，以暴露出所述焊盘；
重布线层，位于所述第一聚合物层上及所述开口内，且与所述焊盘电连接；
第二聚合物层，位于所述第一聚合物层上，且覆盖所述重布线层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
钝化层，所述钝化层位于所述基底的上表面；所述第一聚合物层位于所述钝化层的上表面；
介电层，位于所述第一聚合物层的上表面；所述开口还沿厚度方向贯穿所述钝化层及所述介电层；
种子层，所述种子层位于所述介电层的上表面及所述焊盘的上表面，所述重布线层位于所述种子层的上表面。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层包括二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或碳氮化硅层。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层包括二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及碳氮化硅层中至少二种组成的叠层结构。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述种子层包括钛层或氮化钛层；所述重布线层包括铜重布线层。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述开口的宽度小于所述焊盘的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一聚合物层包括聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层；所述第二聚合物层包括聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一聚合物层的上表面形成有若干个凹槽；若干个所述凹槽呈条状间隔排布、相互连接成网格状排布或无规则排布。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的深度为所述第一聚合物层厚度的1/3～3/4。
10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽纵截面的形状包括倒梯形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
