[实用新型]单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板

说明书

本实用新型公开了一种单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板，所述单晶炉包括：导流筒，所述导流筒内形成有连通所述单晶炉的热场的容置通道；空烧盖板，所述空烧盖板适于盖设在所述导流筒上且封盖所述容置通道的出口端，所述空烧盖板与所述导流筒的相对位置固定，所述空烧盖板包括：盖板本体；以及孔部，所述孔部被构造成沿厚度方向贯穿所述盖板本体设置。根据本实用新型的单晶炉，通过在石墨部件空烧过程增加空烧盖板，空烧盖板可以与单晶炉的热场配套设置，具体地，空烧盖板适于盖设在导流筒上，并且空烧盖板可以封盖容置通道的出口端，这样有利于防止空烧过程中热量的过多散失，从而可以达到以更低功率完成空烧的目的，进而可以降低成本。

技术领域

本实用新型涉及晶体硅技术领域，尤其是涉及一种单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板。

背景技术

相关技术中，在直拉法单晶生长过程中，石英坩埚会和硅熔汤发生反应，生成大量一氧化硅。在硅熔融温度下，一氧化硅的蒸气压为9Torr(Torr，托，压强单位，1托＝133.3223684帕)，很容易从熔汤表面挥发。一氧化硅蒸汽预冷凝结，会逐渐积累在石墨部件上，这样会影响石墨部件的使用寿命和使用效果。

为达到清洁石墨部件的目的，在实际生产中，会通过一定频率的空烧，达到去除石墨部件表面氧化物的目的。尤其是在挥发更剧烈的重掺单晶生长过程中，空烧频率更为频繁。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种单晶炉，所述单晶炉上设有空烧盖板，这样有利于达到以较低功率完成清除石墨部件表面的氧化物等的目的，成本降低。

本实用新型的另一个目的在于提出一种用于单晶炉的空烧盖板。

根据本实用新型第一方面实施例的单晶炉，包括：导流筒，所述导流筒内形成有连通所述单晶炉的热场的容置通道；空烧盖板，所述空烧盖板适于盖设在所述导流筒上且封盖所述容置通道的出口端，所述空烧盖板与所述导流筒的相对位置固定，所述空烧盖板包括：盖板本体；以及孔部，所述孔部被构造成沿厚度方向贯穿所述盖板本体设置。

根据本实用新型实施例的单晶炉，通过在石墨部件空烧过程增加空烧盖板，空烧盖板可以与单晶炉的热场配套设置，具体地，空烧盖板适于盖设在导流筒上，并且空烧盖板可以封盖容置通道的出口端，这样有利于防止空烧过程中热量的过多散失，从而可以达到以更低功率完成空烧的目的，进而可以降低成本。

另外，根据本实用新型上述实施例的单晶炉还具有如下附加的技术特征：

根据本实用新型的一些实施例，所述盖板本体被构造成圆形盖板。

进一步地，所述容置通道被构造成圆形通道，或者，所述容置通道被构造成在由上至下的方向上径向尺寸逐渐收缩的锥形通道；其中，所述盖板本体的直径不小于所述容置通道的最大径向尺寸。

根据本实用新型的一些实施例，所述空烧盖板为保温材料件。

根据本实用新型的一些实施例，所述孔部设于所述盖板本体的中部，所述孔部被构造成圆形孔、椭圆形孔或异形孔。

根据本实用新型的一些实施例，所述盖板本体的厚度为10-20mm。

进一步地，所述盖板本体的厚度为15mm。

根据本实用新型的一些实施例，所述孔部的面积占所述盖板本体的面积的比例为：10％-30％。

进一步地，所述孔部的面积占所述盖板本体的面积的比例为20％。

根据本实用新型第二方面实施例的用于单晶炉的空烧盖板，所述空烧盖板为保温材料件且包括：盖板本体，所述盖板本体的厚度为10-20mm；以及孔部，所述孔部被构造成沿厚度方向贯穿所述盖板本体设置，所述孔部的面积占所述盖板本体的面积的比例为：10％-30％。