[实用新型]一种改善插件上锡率的PCB架构有效
| 申请号： | 201921922819.8 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN210958966U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 詹俊德;王灿钟 | 申请（专利权）人： | 深圳市一博科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/11 | 分类号： | H05K1/11 |
| 代理公司： | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 田志远;袁浩华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 插件 上锡率 pcb 架构 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善插件上锡率的PCB架构，包括PCB板、若干电路走线和设于所述PCB板上的插件通孔，其特征在于，在所述插件通孔边缘设有若干过孔，所述过孔的钻孔区域与所述插件通孔的钻孔区域交叉。
2.根据权利要求1所述的一种改善插件上锡率的PCB架构，其特征在于，所述过孔的焊盘区域凸出所述插件通孔的焊盘区域。
3.根据权利要求1所述的一种改善插件上锡率的PCB架构，其特征在于，在所述插件通孔边缘设有两个所述过孔，两个所述过孔关于所述插件通孔的圆心中心对称。
4.根据权利要求1所述的一种改善插件上锡率的PCB架构，其特征在于，所述过孔的钻孔区域与所述插件通孔的钻孔区域形成交错区域，所述交错区域的面积等于所述过孔的钻孔区域面积的1/3～1/2。
5.根据权利要求4所述的一种改善插件上锡率的PCB架构，其特征在于，所述交错区域的面积等于所述过孔的钻孔区域面积的1/3。
6.根据权利要求4所述的一种改善插件上锡率的PCB架构，其特征在于，所述交错区域的面积等于所述过孔的钻孔区域面积的1/2。
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