[实用新型]一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构有效
| 申请号： | 201921929809.7 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN211017015U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 薛芳峰;吴方军;乔德定;严建华;喻建华;祝文星;周仕民 | 申请（专利权）人： | 德兴市意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南昌卓尔精诚专利代理事务所(普通合伙) 36133 | 代理人： | 陈志辉 |
| 地址： | 334000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 生产 用去膜 装置 机构 | ||
1.一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构，包括机箱(1)，其特征在于：所述机箱(1)的顶部固定连接有加工箱(2)，所述加工箱(2)内壁的底部固定连接有去膜吸盘(3)，所述去膜吸盘(3)的表面设置有防护套(4)，所述防护套(4)内壁的底部横向固定连接有固定环(5)，所述防护套(4)的两侧均设置有拉盘(6)，所述拉盘(6)的内侧固定连接有拉杆(7)，所述拉杆(7)的内侧贯穿防护套(4)并延伸至固定环(5)的内部固定连接有移动板(20)，所述移动板(20)的内侧固定连接有卡杆(8)，所述卡杆(8)的内侧贯穿固定环(5)并延伸至去膜吸盘(3)的内部，所述加工箱(2)的顶部固定连接有去膜机构(9)，所述去膜机构(9)本体的表面活动连接有盖板(10)。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构，其特征在于：所述机箱(1)底部的两侧均固定连接有支撑杆(11)，所述支撑杆(11)的底部固定连接有底盘(12)。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构，其特征在于：所述防护套(4)内壁两侧的顶部均固定连接有支撑柱(13)，所述支撑柱(13)的内侧固定连接有滑块(14)，所述去膜吸盘(3)的两侧均开设有滑槽(15)，所述滑块(14)与滑槽(15)滑动连接。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构，其特征在于：所述拉杆(7)的表面套设有复位弹簧(16)，所述复位弹簧(16)的外侧与固定环(5)的内壁固定连接，所述复位弹簧(16)的内侧与移动板(20)固定连接。
5.根据权利要求1所述的一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构，其特征在于：所述移动板(20)的顶部和底部均固定连接有导向块(17)，所述固定环(5)内壁的顶部和底部均开设有导向槽(18)，所述导向块(17)与导向槽(18)滑动连接。
6.根据权利要求1所述的一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构，其特征在于：所述固定环(5)的内壁固定连接有防护圈(19)，所述防护圈(19)的内侧与去膜吸盘(3)滑动连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
