[实用新型]级联雪崩倍增光电二极管

权利要求书

1.一种级联雪崩倍增光电二极管，其特征在于，在衬底(17)上有衬底氧化层(16)，在衬底氧化层(16)上从左到右依次有p型电极层I(4)、p型光吸收层(5)、电场调控层I(6)、雪崩倍增层I(7)、n型过渡层(8)、低杂质浓度的电子行进层(9)、电场调控层II(12)、雪崩倍增层II(13)、n型电极层(14)，p型电极层II(11)内嵌于低杂质浓度的电子行进层(9)区域内，衬底氧化层(16)上依次排列的各层被电场隔离环层(2)环绕包围，电场隔离环层(2)外侧区域有本征层(1)，p型电极层I(4)上有p电极I(3)，p型电极层II(11)上有p电极II(10)，n型电极层(14)上有n电极(15)。

2.根据权利要求1所述的级联雪崩倍增光电二极管，其特征在于，所述n型过渡层(8)为高杂质浓度的n型区域。

3.根据权利要求1所述的级联雪崩倍增光电二极管，其特征在于，所述低杂质浓度的电子行进层(9)为低杂质浓度的p型区域。

4.根据权利要求1所述的级联雪崩倍增光电二极管，其特征在于，所述衬底(17)上衬底氧化层(16)的厚度为0.1μm～1.0μm。

5.根据权利要求1所述的级联雪崩倍增光电二极管，其特征在于，所述衬底氧化层(16)上各层的厚度一致，厚度为0.1μm～2.0μm。