[实用新型]一种含有多层高K栅绝缘层的MOS-HEMT器件有效
| 申请号： | 201921934647.6 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN209947842U | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铝金属薄膜 栅绝缘层 势垒层表面 氧化铝层表面 氧化锆层 源漏电极 制备 叠加 本实用新型 缓冲层表面 性能稳定性 表面形成 衬底表面 关键特性 降低器件 提升器件 氧化铝层 直接氧化 左右两侧 缓冲层 漏电极 漏电流 势垒层 图形化 氧化锆 源电极 栅电极 氧化铝 衬底 底面 沟道 平齐 兼容 恶化 申请 | ||
1.一种含有多层高K栅绝缘层的MOS-HEMT器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底的表面形成有1～2μm厚的缓冲层，所述缓冲层的表面形成有25～30nm厚的势垒层，所述势垒层的表面形成有铝金属薄膜，所述势垒层表面左侧铝金属薄膜表面形成有图形化的源电极，所述势垒层表面右侧铝金属薄膜表面形成有图形化的漏电极，所述源电极和漏电极沟道之间形成有多层高K栅绝缘层，所述多层高K栅绝缘层包括由势垒层表面左右两侧铝金属薄膜之间的铝金属薄膜直接氧化生成的氧化铝层以及叠加形成于氧化铝层表面的氧化锆层，所述氧化铝层的表面与源漏电极的底面平齐，所述氧化锆层的表面形成有栅电极。
2.根据权利要求1所述的含有多层高K栅绝缘层的MOS-HEMT器件，其特征在于，所述衬底的材质为Si、SiC或蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的含有多层高K栅绝缘层的MOS-HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层的材质为GaAs，所述势垒层的材质为AlGaAs。
4.根据权利要求1所述的含有多层高K栅绝缘层的MOS-HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层的材质为GaN，所述势垒层的材质为AlGaN。
5.根据权利要求1所述的含有多层高K栅绝缘层的MOS-HEMT器件，其特征在于，所述铝金属薄膜的厚度为2nm。
6.根据权利要求1所述的含有多层高K栅绝缘层的MOS-HEMT器件，其特征在于，所述氧化锆层的厚度为2～5nm。
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