[实用新型]一种便于转移的MicroLED芯片有效
申请号: | 201921940695.6 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN211320074U | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 仇美懿;庄家铭;陆绍坚 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L25/075;H01L21/67 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 便于 转移 microled 芯片 | ||
本实用新型公开了一种便于转移的MicroLED芯片,包括载体基板、扩展片和多个芯粒,所述芯粒包括衬底、设置在衬底正面的外延层、以及与外延层导电连接的电极,所述扩展片结合在衬底的背面,以增加芯粒的与吸嘴的接触面积,所述载体基板上设有连接点,所述芯粒的电极结合在连接点上,从而将芯粒固定在载体基板上,所述连接点由具有粘附性的导电金属制成。本实用新型通过在衬底地背面设置一层扩展片,以增加吸嘴与芯粒的接触面积,使得吸嘴可以稳稳地吸住芯粒,从而提高转移效率。
技术领域
本实用新型涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种便于转移的MicroLED 芯片。
背景技术
Micro LED是一种未来具有非常潜力的产品。不过由于尺寸小,一般小于 50μm,需要分选机移转的次数就非常多,称作为巨量移转。
在巨量转移的过程中,芯片结合在蓝膜上,转移设备的摆臂首先移动芯片的上方,然后摆臂上的吸嘴下压到芯片上将芯片吸住,然后摆臂移动到电路基板上方,并将芯片放置在电路基本上,从而完成一次转移。
由于芯片的尺寸很小,而吸嘴的口径往往大于芯片的尺寸,因此吸嘴难以将芯片完全吸住,使得转移效率低下。
此外,由于芯片本身轻薄且小,蓝膜一般由塑胶片与胶体组成,胶体具有一定的厚度,吸嘴在下压是容易使芯片陷入胶体中,难以将芯片取出,影响转移效率。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种便于转移的MicroLED芯片,增加芯片与吸嘴的接触面积,转移效率高。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种便于转移的MicroLED芯片,包括载体基板、扩展片和多个芯粒,所述芯粒包括衬底、设置在衬底正面的外延层、以及与外延层导电连接的电极,所述扩展片结合在衬底的背面,以增加芯粒的与吸嘴的接触面积,所述载体基板上设有连接点,所述芯粒的电极结合在连接点上,从而将芯粒固定在载体基板上,所述连接点由具有粘附性的导电金属制成。
作为上述方案的改进,所述扩展片由透明材料制成,所述透明材料为玻璃、石英、碳化硅或三氧化二铝。
作为上述方案的改进,所述扩展片的厚度为10~100μm。
作为上述方案的改进,所述扩展片设有切口,所述切口位于衬底的两侧。
作为上述方案的改进,所述切口的切割深度为扩展片厚度的0.3~0.5倍。
作为上述方案的改进,所述载体基板的材料为玻璃、石英、不锈钢、塑胶或铁氟龙。
作为上述方案的改进,所述连接点由金、锡、铜、铝和铟中的一种金属制成。
作为上述方案的改进,所述连接点的尺寸为电极尺寸的0.25~0.5倍。
作为上述方案的改进,所述连接点的厚度为5~30μm。
实施本实用新型,具有如下有益效果:
本实用新型提供了一种便于转移的MicroLED芯片,包括载体基板、扩展片和多个芯粒,所述芯粒包括衬底、设置在衬底正面的外延层、以及与外延层导电连接的电极,所述扩展片结合在衬底的背面,以增加芯粒的与吸嘴的接触面积,所述载体基板上设有连接点,所述芯粒的电极结合在连接点上,从而将芯粒固定在载体基板上,所述连接点由具有粘附性的导电金属制成。
本实用新型通过在衬底地背面设置一层扩展片,以增加吸嘴与芯粒的接触面积,使得吸嘴可以稳稳地吸住芯粒,从而提高转移效率。
本实用新型通过连接点将芯粒结合在载体基板上,载体基板作为芯粒的临时基板,起到支撑的作用,在转移的时候,通过吸嘴的下压力就可以将连接点压断,从而将芯粒与载体基板分离,有效提高芯粒的转移效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造